| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·Cu_2O的结构 | 第9-10页 |
| ·Cu_2O的应用与研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文的研究原理与方法 | 第12-14页 |
| 第2章 薄膜制备与性能表征方法 | 第14-19页 |
| ·磁控溅射镀膜法 | 第14页 |
| ·薄膜性能的表征方法 | 第14-19页 |
| ·X射线衍射仪 | 第14-16页 |
| ·薄膜Seebeck系数测量仪 | 第16页 |
| ·四探针测薄膜电阻率 | 第16-17页 |
| ·分光光度计 | 第17-18页 |
| ·扫描电子显微镜和能量色散谱仪 | 第18-19页 |
| 第3章 磁控溅射法制备单相Cu_2O薄膜 | 第19-28页 |
| ·薄膜制备方法与过程 | 第19-20页 |
| ·Cu_2O薄膜制备基本条件的探索 | 第20-23页 |
| ·Ar流量对Cu_2O薄膜制备的影响 | 第23-25页 |
| ·溅射功率对薄膜制备的影响 | 第25-27页 |
| ·Cu_2O薄膜制备小结 | 第27-28页 |
| 第4章 Zn掺杂Cu_2O薄膜的制备及性能表征 | 第28-41页 |
| ·溅射功率对薄膜制备的影响 | 第28-38页 |
| ·Ar流量对薄膜制备的影响 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第5章 In掺杂Cu_2O薄膜的制备及性能表征 | 第41-64页 |
| ·溅射功率对薄膜制备的影响 | 第41-56页 |
| ·Ar流量对薄膜制备的影响 | 第56-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第6章 Zn、In共掺杂Cu_2O薄膜的制备 | 第64-66页 |
| ·固定 Cu 溅射电压 350V，O_2与 Ar 流量比 1:44 | 第64-65页 |
| ·固定 Cu 溅射电压 370V，O_2与 Ar 流量比 1:28 | 第65-66页 |
| 第7章 总结 | 第66-68页 |
| 参考 文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第73-74页 |