| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·选题依据 | 第10-11页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜中的H相关缺陷 | 第12-13页 |
| ·AZO薄膜的性质 | 第13-14页 |
| ·AZO薄膜的应用 | 第14-15页 |
| ·H掺AZO薄膜的研究现状 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要研究内容及创新点 | 第17-19页 |
| 第2章 ZnO基薄膜的制备方法及表征手段 | 第19-25页 |
| ·实验设备 | 第19-22页 |
| ·磁控溅射镀膜仪 | 第19-20页 |
| ·实验原料及实验过程 | 第20-21页 |
| ·薄膜制备和退火工艺参数 | 第21-22页 |
| ·ZnO基薄膜的测试表征 | 第22-25页 |
| ·台阶仪 | 第22页 |
| ·X射线衍射仪 | 第22-23页 |
| ·紫外-可见光分光光度计 | 第23页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第23页 |
| ·光致发光光谱仪 | 第23-24页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第24页 |
| ·椭圆偏振光谱仪 | 第24-25页 |
| 第3章 H_2退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第25-38页 |
| ·ZnO薄膜的制备和退火工艺 | 第25-26页 |
| ·实验结果和分析 | 第26-37页 |
| ·H_2退火对ZnO薄膜结构的影响 | 第26-28页 |
| ·H_2退火对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第28-29页 |
| ·H_2退火对ZnO薄膜电学性能的影响机理分析 | 第29-35页 |
| ·Zn-face和O-face的验证性实验 | 第35-36页 |
| ·H_2退火对ZnO薄膜透射光谱的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 H_2退火对AZO薄膜性能的影响 | 第38-49页 |
| ·AZO薄膜的制备和退火工艺 | 第38-39页 |
| ·实验结果和分析 | 第39-48页 |
| ·H_2退火对AZO薄膜结构的影响 | 第39-40页 |
| ·H_2退火对AZO薄膜电学性能的影响 | 第40-41页 |
| ·H_2退火对AZO薄膜电学性能影响的机理分析 | 第41-47页 |
| ·H_2退火对AZO薄膜透射光谱的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 H_2流量比对ZnO和AZO薄膜性能的影响 | 第49-61页 |
| ·ZnO基薄膜的制备 | 第49页 |
| ·实验结果和分析 | 第49-60页 |
| ·H_2流量比对薄膜结构的影响 | 第49-52页 |
| ·H_2流量比对薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·H_2流量比对ZnO基薄膜电学性能影响的机理分析 | 第54-59页 |
| ·H_2流量比对ZnO基薄膜薄膜透射光谱的影响 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 结论 | 第61-62页 |
| 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考 文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70页 |