| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·MOS技术的进展 | 第7-8页 |
| ·MOS器件按比例缩小面临的问题 | 第8-9页 |
| ·现有主要解决MOS器件缩小问题的主要方向和方案 | 第9-10页 |
| ·本论文完成的工作和结构框架介绍 | 第10-13页 |
| 第二章 硅纳米线制备工艺研究 | 第13-26页 |
| ·基于侧墙工艺制备硅纳米线 | 第13-17页 |
| ·基于消减氧化硅硬掩模工艺制备硅纳米线 | 第17-21页 |
| ·基于电子束光刻工艺制备硅纳米线 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 硅纳米线粗糙度特性研究 | 第26-36页 |
| ·硅纳米线边缘/宽度粗糙度的特性研究 | 第29-32页 |
| ·优化侧墙工艺制备硅纳米线实验 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 纳米线形状的可控性研究 | 第36-47页 |
| ·硅纳米线制备实验 | 第39-41页 |
| ·硅纳米线特性研究 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 硕士期间发表论文和申请专利情况 | 第54页 |