| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·BN结构、性质及应用 | 第11-15页 |
| ·hBN的结构、性质及应用 | 第11-13页 |
| ·cBN的结构、性质与应用 | 第13-15页 |
| ·立方氮化硼薄膜的制备技术 | 第15-17页 |
| ·物理气相沉积技术(PVD) | 第15-16页 |
| ·化学气相沉积技术(CVD) | 第16-17页 |
| ·cBN薄膜制备技术所面临的问题 | 第17-19页 |
| ·BN薄膜掺杂研究的现状 | 第19-21页 |
| ·掺杂方法 | 第20页 |
| ·BN薄膜掺杂概述 | 第20-21页 |
| ·立方氮化硼薄膜的主要测试方法 | 第21-24页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR) | 第21-23页 |
| ·高分辨电子显微镜(HRTEM) | 第23-24页 |
| ·本文主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 残余压缩应力对BN薄膜中hBN的IR吸收的影响 | 第27-37页 |
| ·实验部分 | 第27-28页 |
| ·样品制备 | 第27-28页 |
| ·样品表征 | 第28页 |
| ·在应力作用下的红外峰位的位移的理论计算 | 第28-30页 |
| ·实验结果、理论推导及讨论 | 第30-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 间隙氩原子对cBN红外吸收强度的影响 | 第37-51页 |
| ·实验部分 | 第37-38页 |
| ·样品制备 | 第37页 |
| ·样品表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-49页 |
| ·两种不同的声子振动模式 | 第38-39页 |
| ·红外光与多晶薄膜中有序区晶格振动的相互作用 | 第39-41页 |
| ·多晶薄膜中横光学波的吸收 | 第41-44页 |
| ·BN薄膜中cBN的红外吸收强度 | 第44-45页 |
| ·退火前后间隙Ar原子的浓度 | 第45-47页 |
| ·残余压缩应力与cBN的红外吸收强度 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 cBN薄膜紫外光响应的初步探索 | 第51-61页 |
| ·设备简介 | 第51-54页 |
| ·光源系统 | 第51-53页 |
| ·测量系统 | 第53-54页 |
| ·cBN薄膜紫外光响应原理 | 第54-56页 |
| ·本征吸收 | 第54页 |
| ·杂质吸收 | 第54-55页 |
| ·cBN薄膜紫外光响应原理 | 第55-56页 |
| ·实验结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·实验简述 | 第56-57页 |
| ·实验结果 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 PECVD制备BN薄膜的初步优化 | 第61-73页 |
| ·PECVD设备简介 | 第61-64页 |
| ·PECVD制备技术原理 | 第64-66页 |
| ·等离子体概述 | 第64-65页 |
| ·PECVD制备原理 | 第65-66页 |
| ·样品制备 | 第66-67页 |
| ·样品表征 | 第67页 |
| ·实验结果与讨论 | 第67-72页 |
| ·偏压对BN薄膜中cBN含量的影响 | 第67-69页 |
| ·薄膜中cBN含量与Ar浓度的关系 | 第69-70页 |
| ·薄膜生长速率与F元素的关系 | 第70-71页 |
| ·BN薄膜制备的初步优化 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 全文总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 个人简历 | 第85-87页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第87页 |