偏滤器等离子体鞘层及氢同位素在器壁材料中的滞留模拟研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| ·磁约束可控核聚变介绍 | 第11-13页 |
| ·偏滤器等离子体及其与器壁相互作用 | 第13-23页 |
| ·偏滤器等离子体介绍 | 第14-17页 |
| ·等离子体与器壁相互作用 | 第17-19页 |
| ·器壁材料的选择 | 第19-23页 |
| ·研究进展及面临挑战 | 第23-27页 |
| ·本论文研究内容 | 第27-29页 |
| 2 偏滤器等离子体鞘层模拟研究 | 第29-46页 |
| ·模型介绍 | 第29-31页 |
| ·数值方法 | 第31-36页 |
| ·初始化 | 第31-32页 |
| ·粒子云分室 | 第32页 |
| ·电场分布及电荷运动 | 第32页 |
| ·MCC处理 | 第32-34页 |
| ·库仑碰撞 | 第34-35页 |
| ·PSI模块 | 第35-36页 |
| ·模拟结果及分析 | 第36-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 3 偏滤器缝隙等离子体模拟研究 | 第46-57页 |
| ·模形简介 | 第46-47页 |
| ·数值方法 | 第47-49页 |
| ·粒子云分室法 | 第47-48页 |
| ·泊松方程求解 | 第48-49页 |
| ·模拟结果及分析 | 第49-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 4 氢同位素在混合材料中的滞留问题 | 第57-105页 |
| ·热扩散模型及器壁表面温度研究 | 第58-65页 |
| ·模型介绍 | 第58-59页 |
| ·数值方法 | 第59-61页 |
| ·模拟结果及分析 | 第61-65页 |
| ·氢同位素在金属材料中的滞留研究 | 第65-77页 |
| ·模型介绍 | 第65-66页 |
| ·数值方案 | 第66-68页 |
| ·模型结果及分析 | 第68-77页 |
| ·氢同位素在多孔材料中的滞留研究 | 第77-92页 |
| ·模型介绍 | 第77-83页 |
| ·数值方案 | 第83页 |
| ·模拟结果及分析 | 第83-92页 |
| ·氢同位素滞留过程钨材料中气泡生长过程研究 | 第92-103页 |
| ·模型介绍 | 第93-97页 |
| ·数值方案 | 第97页 |
| ·模拟结果及分析 | 第97-103页 |
| ·小结 | 第103-105页 |
| 5 结论与展望 | 第105-108页 |
| ·结论 | 第105-107页 |
| ·展望 | 第107-108页 |
| 本文创新点摘要 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-121页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| Acknowledgements | 第123-124页 |
| 作者简介 | 第124-125页 |
