| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·半导体科学技术的发展历程与趋势 | 第10-11页 |
| ·半导体材料简介 | 第11-13页 |
| ·半导体材料的分类 | 第11-12页 |
| ·异质结概念及其应用 | 第12-13页 |
| ·低维半导体系统 | 第13-17页 |
| ·超晶格的发展和应用 | 第14-15页 |
| ·半导体超晶格和量子阱结构 | 第15-17页 |
| ·半导体材料中杂质 | 第17-20页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 | 第20-28页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构 | 第21-22页 |
| ·GaAs的能带结构 | 第22-23页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的性质 | 第23-28页 |
| ·GaAs材料性质 | 第24页 |
| ·GaN材料发展概要 | 第24-25页 |
| ·GaN材料的特性 | 第25-26页 |
| ·GaN晶体生长 | 第26-28页 |
| 第三章 激光场和温度对GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱中施主杂质态的影响 | 第28-38页 |
| ·研究背景及现状 | 第28-29页 |
| ·理论计算模型 | 第29-31页 |
| ·计算结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·结论 | 第36-38页 |
| 第四章 静水压力、电场和激光场对闪锌矿InGaN/GaN杂质态的影响 | 第38-48页 |
| ·研究背景及现状 | 第38-39页 |
| ·理论方法 | 第39-41页 |
| ·计算结果和讨论 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第60-61页 |