摘要 | 第1-9页 |
Abstract | 第9-12页 |
目录 | 第12-15页 |
第一章 绪论 | 第15-27页 |
·研究背景 | 第15-21页 |
·原子层沉积技术的历史 | 第15-16页 |
·原子层沉积原理 | 第16-18页 |
·对前驱体的要求 | 第18-19页 |
·原子层沉积技术的优点、缺点 | 第19页 |
·原子层沉积的新发展:分子层沉积 | 第19-20页 |
·原子层沉积技术的应用 | 第20-21页 |
·本论文的选题背景及主要研究内容 | 第21-24页 |
参考文献 | 第24-27页 |
第二章 原子层沉积的表面化学 | 第27-43页 |
·原子层沉积技术的表面化学 | 第27-33页 |
·吸附作用 | 第27-28页 |
·原子层沉积的吸附动力学 | 第28-29页 |
·原子层沉积的化学吸附反应机制 | 第29-30页 |
·影响沉积速率的因素 | 第30-32页 |
·生长模式 | 第32-33页 |
·ALD前驱体 | 第33-37页 |
·金属元素的前驱体 | 第33-36页 |
·非金属元素的前驱体 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-43页 |
第三章 Bi_2O_3薄膜的原子层沉积法生长及性质 | 第43-93页 |
·引言 | 第43-45页 |
·Bi(thd)_3/H_2O的反应机制研究 | 第45-52页 |
·Bi(thd)_3的分子结构 | 第45-48页 |
·Bi(thd)_3的理化特性 | 第48-52页 |
·Bi(thd)_3/H_2O的表面吸附反应机制 | 第52页 |
·Bi_2O_3超薄膜的原子层沉积生长机制研究 | 第52-62页 |
·Bi_2O_3超薄膜的原子层沉积 | 第52-54页 |
·原子层沉积温度窗口 | 第54-55页 |
·薄膜厚度—沉积循环次数的关系 | 第55-56页 |
·原子层沉积Bi_2O_3薄膜的生长机制 | 第56-57页 |
·低生长速率的机制分析 | 第57-62页 |
·Bi_2O_3超薄膜的性质 | 第62-86页 |
·Bi_2O_3薄膜的晶体结构 | 第62-69页 |
·Bi_2O_3晶化薄膜的低温结晶生长动力学解释 | 第69-71页 |
·在非晶衬底上获得(012)取向的Bi_2O_3薄膜 | 第71-72页 |
·后退火温度对薄膜晶体结构的影响 | 第72-74页 |
·工艺参数对Bi_2O_3薄膜粗糙度的影响 | 第74-75页 |
·Bi_2O_3薄膜的电流—电压特性 | 第75-77页 |
·Bi_2O_3薄膜的红外光谱分析 | 第77-80页 |
·Bi_2O_3薄膜的光学带隙对温度的函数 | 第80-85页 |
·Bi_2O_3薄膜的光学常数 | 第85-86页 |
·本章小结 | 第86-87页 |
参考文献 | 第87-93页 |
第四章 室温下Al_2O_3薄膜的原子层沉积及特性研究 | 第93-115页 |
·引言 | 第93-96页 |
·室温下Al_2O_3薄膜的原子层沉积法生长、电性能测试 | 第96-97页 |
·Al_2O_3薄膜的性质 | 第97-110页 |
·Al_2O_3薄膜的表面形貌 | 第97-98页 |
·Al_2O_3薄膜的生长机制 | 第98-101页 |
·Al_2O_3薄膜的MIS电容特性 | 第101-104页 |
·Al_2O_3薄膜的介电特性 | 第104-106页 |
·Al_2O_3薄膜的电流—电压特性及其击穿场强 | 第106-110页 |
·温度对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第110页 |
·本章小结 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-115页 |
第五章 TiO_2的原子层沉积及表征 | 第115-137页 |
·引言 | 第115-116页 |
·ALD生长TiO_2薄膜 | 第116-122页 |
·Ti前驱体之遴选 | 第116-117页 |
·TiO_2薄膜的生长 | 第117-118页 |
·TiO_2薄膜的晶体结构 | 第118-120页 |
·TiO_2薄膜的电流—电压特性 | 第120-122页 |
·原子层沉积法制备TiO_2纳米管 | 第122-130页 |
·研究背景 | 第122-123页 |
·TiO_2纳米管的制备 | 第123-125页 |
·微观形貌特性 | 第125-127页 |
·TiO_2纳米管的化学组成 | 第127-128页 |
·TiO_2纳米管的晶体结构 | 第128-129页 |
·TiO_2纳米管的拉曼谱 | 第129-130页 |
·本章小结 | 第130-131页 |
参考文献 | 第131-137页 |
第六章 总结与展望 | 第137-139页 |
·总结 | 第137-138页 |
·展望 | 第138-139页 |
致谢 | 第139-140页 |
附录 | 第140-141页 |
博士期间研究成果 | 第141-142页 |