| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-39页 |
| ·等离子体基低能离子注入(PBLEⅡ)原理和技术 | 第11-15页 |
| ·等离子体基离子注入(PBⅡ) | 第11-12页 |
| ·PBLEⅡ研究现状 | 第12-15页 |
| ·内表面改性 | 第15-18页 |
| ·内表面薄膜沉积 | 第15-16页 |
| ·PBⅡ内表面改性 | 第16-18页 |
| ·PBⅡ鞘层特性 | 第18-36页 |
| ·PBⅡ鞘层扩展及理论研究方法 | 第18-24页 |
| ·PBⅡ圆管内表面鞘层特性 | 第24-27页 |
| ·PBⅡ脉冲鞘层特性 | 第27-36页 |
| ·本文研究目的和研究内容 | 第36-39页 |
| ·研究目的 | 第36-37页 |
| ·研究内容 | 第37-39页 |
| 2 PBLEⅡ圆管内表面改性装置及其鞘层演化规律 | 第39-72页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面改性 | 第39-46页 |
| ·线性ECR微波等离子体源 | 第39-43页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面改性装置 | 第43-46页 |
| ·圆管内磁化鞘层演化研究 | 第46-56页 |
| ·磁化鞘层一维碰撞流体模型 | 第47-49页 |
| ·工艺参数、边界条件和初始条件 | 第49-50页 |
| ·模拟计算结果 | 第50-56页 |
| ·圆管端磁化鞘层演化研究 | 第56-69页 |
| ·磁化鞘层二维碰撞流体模型 | 第56-57页 |
| ·边界条件和初始条件 | 第57-58页 |
| ·模拟计算结果 | 第58-69页 |
| ·讨论 | 第69-70页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面改性均匀性 | 第69-70页 |
| ·磁场在PBLEⅡ圆管内表面改性中的作用 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 3 PBLEⅡ圆管内表面的工艺参数优化计算 | 第72-89页 |
| ·工艺参数、模型及相关条件 | 第72-73页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面工艺参数优化关系 | 第73-79页 |
| ·圆管临界半径 | 第73-77页 |
| ·圆管临界半径的影响因素 | 第77-79页 |
| ·讨论 | 第79-87页 |
| ·与PBⅡ圆管内表面工艺参数的比较 | 第79-85页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面改性技术的特点 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 4 PBLEⅡ圆管内表面脉冲鞘层特性 | 第89-118页 |
| ·等离子体低压非稳态扩散流体模型 | 第89-91页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面脉冲鞘层演化及等离子体回复规律 | 第91-99页 |
| ·模型及相关条件 | 第91-93页 |
| ·PBLEⅡ圆管内表面等离子体非稳态扩散行为 | 第93-96页 |
| ·脉冲负偏压占空比与离子注入剂量和能量的关系 | 第96-99页 |
| ·讨论 | 第99-116页 |
| ·稳态和非稳态扩散分析中的惯性项及扩散的影响因素 | 第99-105页 |
| ·低压非稳态扩散流体模型准确性验证及优势 | 第105-113页 |
| ·等离子体扩散在PBLEⅡ圆管内表面改性中的作用 | 第113-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 结论 | 第118-121页 |
| 参考文献 | 第121-129页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |