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拓扑绝缘体材料铁磁性及表面态的调控

目录第1-7页
Contents第7-10页
中文摘要第10-14页
Abstract第14-19页
符号说明第19-20页
第一章 绪论第20-26页
   ·引言第20页
   ·量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体第20-21页
   ·磁性掺杂拓扑绝缘体第21页
   ·本论文的研究内容及主要结论第21-23页
 参考文献第23-26页
第二章 理论基础与计算方法第26-36页
   ·绝热近似和Hartree-Fock近似第26-29页
   ·密度泛函理论第29-31页
     ·Thomas-Fermi模型第29页
     ·Hohenberg-Kohn定理第29-30页
     ·Kohn-Sham方程第30-31页
   ·交换相关泛函(Correlation exchange functional)第31-33页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA)第31-32页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)第32-33页
     ·轨道泛函LDA(GGA)+U第33页
   ·自旋限制与非限制计算第33页
   ·本文采用的密度泛函理论计算软件包第33-34页
 参考文献第34-36页
第三章 几何相和d~0铁磁性第36-56页
   ·相互作用两自旋体系的可分离态和几何相第36-46页
     ·引言第36-37页
     ·相互作用自旋1/2两粒子体系模型第37-39页
     ·相互作用自旋1/2两粒子体系的几何相第39-41页
     ·总体系几何相等于其子体系几何相和的条件第41-43页
     ·小结第43-46页
   ·C掺杂Mg_3N_2的d~0铁磁性第46-52页
     ·研究背景第46页
     ·研究方法和模型第46-47页
     ·结果和讨论第47-52页
     ·小结第52页
 参考文献第52-56页
第四章 掺杂拓扑绝缘体材料的铁磁性及表面态的调控第56-106页
   ·单元素掺杂拓扑绝缘体材料的铁磁性及表面态的调控第56-76页
     ·Mn掺杂Bi_2Te_3的磁耦合特性及其对拓扑表面态的调控第56-64页
     ·2p轻元素掺杂Bi_2Se_3,Bi_2Te_3和Sb_2Te_3的磁耦合特性及其对拓扑表面态的调控用第64-76页
   ·共掺杂拓扑绝缘体材料的铁磁性及表面态的调控第76-98页
     ·共掺Bi_2Te_2Se中可调表面和绝缘有质量Dirac费米子态的实现第76-89页
     ·磁性和非磁性元素共掺Bi_2Te_3的绝缘有质量Dirac费米子态的实现第89-98页
   ·掺杂三元拓扑绝缘体TlBiTe_2和TlBiSe_2的量子反常霍尔效应第98-103页
     ·实验和理论研究背景第98页
     ·二维铁磁拓扑绝缘体薄膜的量子反常霍东效应第98-100页
     ·过渡金属掺杂TlBiTe_2和TlBiSe_2的磁耦合特性第100-103页
     ·总结第103页
 参考文献第103-106页
第五章 拓扑绝缘体固溶体的拓扑相变和表面态调控第106-130页
   ·TlBi(S_(1-x)Se_x)_2固溶体的拓扑相变和奇异Dirac费米子质量获得第106-118页
     ·实验和理论研究背景第106-107页
     ·计算方法与模型第107页
     ·结果与讨论第107-115页
     ·总结第115-118页
   ·拓扑绝缘体(Bi_(1-x)Sb_x)_2Te_3中绝缘体电子态及可调Dirac锥的实现第118-127页
     ·实验和理论研究背景第118-119页
     ·计算方法第119页
     ·计算结果第119-126页
     ·讨论第126-127页
 参考文献第127-130页
第六章 研究拓展——应力及自旋轨道耦合在实现拓扑晶绝缘体中的作用第130-140页
   ·实验和理论研究背景第130-131页
   ·计算方法与模型第131页
   ·结果与讨论第131-136页
   ·总结第136页
 参考文献第136-140页
第七章 总结与展望第140-143页
   ·主要的工作及其创新点第140-141页
   ·展望第141-143页
攻读学位期间发表的学术论文目录以及获奖等情况第143-147页
 1 发表论文目录第143-146页
 2 参加的国际及国内会议第146页
 3 获奖情况第146页
 4 参与的科研项目第146-147页
致谢第147-148页
附录:攻读博士期间所发表的英文论文(原文)第148-159页
学位论文评阅及答辩情况表第159页

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