| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-11页 |
| ·研究锗硅低维量子结构及其电学性质的意义 | 第6-8页 |
| ·导电原子力显微镜的背景和应用 | 第8-10页 |
| ·本论文的结构安排 | 第10-11页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第11-15页 |
| ·CAFM的基本原理 | 第11-13页 |
| ·实验中容易遇到的问题 | 第13-15页 |
| 第3章 CAFM研究双层量子点的电学耦合效应 | 第15-26页 |
| ·实验过程 | 第15-18页 |
| ·实验结果及讨论 | 第18-24页 |
| ·结论 | 第24-26页 |
| 第4章 锗硅量子点瞬态荷电机制的研究 | 第26-39页 |
| ·CAFM测量有氧化层量子点电学性质的基本模型 | 第26-29页 |
| ·) 热电子发射 | 第26-27页 |
| ·) F-N隧穿 | 第27-29页 |
| ·实验内容与结果的建模分析 | 第29-37页 |
| ·) 扫描方向 | 第33页 |
| ·) 同样条件下只改变扫描范围 | 第33-35页 |
| ·) 同样条件下只改变扫描速度 | 第35-37页 |
| ·实验结果的进一步讨论 | 第37-39页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |