| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| ·研究背景与意义 | 第13-16页 |
| ·研究的内容 | 第16-17页 |
| 第二章 InGaN/GaN耦合量子阱中内建电场对拉曼散射的影响 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·耦合量子阱的电子态与能级 | 第18-19页 |
| ·微分散射截面 | 第19-22页 |
| ·结果和讨论 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 纤锌矿GaN柱形量子线中的一阶拉曼散射 | 第25-34页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·量子线的电子态与能级 | 第25-28页 |
| ·微分散射截面与选择定则 | 第28-30页 |
| ·结果和讨论 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 GaN/AlN量子阱线中声子参与的拉曼散射 | 第34-43页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·理论推导 | 第34-39页 |
| ·量子阱线中系统的波函数和能量 | 第34-37页 |
| ·微分散射截面与选择定则 | 第37-39页 |
| ·结果和讨论 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-54页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |