| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·选题依据及意义 | 第7-8页 |
| ·基于β辐生伏特效应的同位素电池发展现状 | 第8-10页 |
| ·SiC BJT型β射线探测器的应用优势 | 第10-12页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 同位素电池的工作原理及 4H-SiC PiN结同位素电池结构设计 | 第13-21页 |
| ·同位素电池的结构 | 第13-14页 |
| ·同位素电池的工作原理 | 第14-15页 |
| ·4H-SiC PiN结同位素电池的结构设计 | 第15-20页 |
| ·同位素源的选取 | 第15-16页 |
| ·β粒子穿透深度 | 第16-17页 |
| ·PiN结同位素电池参数的设计 | 第17-19页 |
| ·同位素电池电极的设计 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 4H-SiC PiN同位素电池的制备工艺和测试分析 | 第21-41页 |
| ·器件结构参数 | 第21页 |
| ·同位素电池的制备工艺流程及版图设计 | 第21-23页 |
| ·制备工艺流程 | 第21-23页 |
| ·版图设计 | 第23页 |
| ·器件制备工艺 | 第23-31页 |
| ·外延材料的制备 | 第24页 |
| ·外延片的标准清洗 | 第24-25页 |
| ·台面隔离制备 | 第25-28页 |
| ·表面钝化氧化层的制备和光刻开窗 | 第28页 |
| ·欧姆接触电极的形成 | 第28-31页 |
| ·4H-SiC PiN同位素电池的测试分析 | 第31-40页 |
| ·比接触电阻测试 | 第31-35页 |
| ·4H-SiC PiN二极管基本电学特性测试 | 第35-37页 |
| ·4H-SiC PiN同位素电池性能测试 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 4H-SiC BJT型β射线探测器 | 第41-57页 |
| ·β射线探测器的工作原理 | 第41-43页 |
| ·β射线探测器的结构参数设计 | 第43-53页 |
| ·集电-基结的设计 | 第43-47页 |
| ·发射区的设计 | 第47-49页 |
| ·β射线探测器的结构参数综合设计 | 第49-53页 |
| ·4H-SiC β射线探测器的基本特性 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目和科研成果 | 第67-68页 |