半导体纳米材料生长机制和结构特性研究
| 内容摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·量子点生长及其结构特性 | 第11-13页 |
| ·纳米线生长及其结构特性 | 第13-16页 |
| ·论文的结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 半导体纳米异质结构临界尺寸 | 第22-51页 |
| ·序言 | 第22-23页 |
| ·半导体纳米异质结构应变分析 | 第23-27页 |
| ·连续弹性理论 | 第23-26页 |
| ·半导体纳米异质结构有限元模型 | 第26-27页 |
| ·位错应变场分析 | 第27-34页 |
| ·经典位错理论 | 第27-31页 |
| ·位错的有限元模型 | 第31-34页 |
| ·异质结构位错产生的平衡判据 | 第34-35页 |
| ·InGaN/GaN薄膜的临界厚度 | 第35-40页 |
| ·纳米线轴向异质结构临界厚度和临界半径 | 第40-44页 |
| ·InSb/GaSb量子点临界尺寸 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第三章 量子点位错过滤 | 第51-61页 |
| ·序言 | 第51-52页 |
| ·能量平衡判据 | 第52-53页 |
| ·有限元建模 | 第53-54页 |
| ·氮化物量子点位错过滤 | 第54-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第四章 合金半导体量子点平衡组分分布 | 第61-81页 |
| ·序言 | 第61-62页 |
| ·平衡组分优化 | 第62-69页 |
| ·平衡组分优化思路 | 第62-65页 |
| ·移动渐近线 | 第65-69页 |
| ·GeSi/Si量子点 | 第69-73页 |
| ·InGaAs/GaAs量子点 | 第73-75页 |
| ·位错引入的组分分布 | 第75-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第五章 合金半导体纳米线轴向组分分布 | 第81-96页 |
| ·序言 | 第81-82页 |
| ·瞬态合金纳米线生长模型 | 第82-86页 |
| ·GaAs基合金半导体纳米线轴向组分分布 | 第86-90页 |
| ·稳态合金纳米线生长模型 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第六章 半导体纳米材料电子结构 | 第96-114页 |
| ·GaN/AlN量子点电子结构 | 第96-102页 |
| ·GeSi/Si量子点电子结构 | 第102-108页 |
| ·半导体纳米线电子结构 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第七章 论文总结与展望 | 第114-117页 |
| ·论文总结 | 第114-116页 |
| ·未来工作展望 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 攻读博士学位期间发表论文情况 | 第118-120页 |
