| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-23页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·透明导电薄膜概述 | 第8-10页 |
| ·p型透明导电氧化物薄膜的研究进展 | 第10-16页 |
| ·铜铁矿系的含Cu化合物 | 第10-12页 |
| ·层状结构的氧硫族化合物、氟硫化合物 | 第12-14页 |
| ·p型掺杂的宽禁带氧化物 | 第14-16页 |
| ·SnO_2薄膜的性质 | 第16-17页 |
| ·SnO_2透明导电薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·研究目的和内容 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 量子力学密度泛函理论简介 | 第23-29页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·密度泛函理论基本原理 | 第24-25页 |
| ·赝势 | 第25-27页 |
| ·平面波赝势 | 第25-26页 |
| ·范数不变赝势(NCPP) | 第26-27页 |
| ·超软赝势(USP) | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 直流反应磁控溅射镀膜原理 | 第29-34页 |
| ·溅射镀膜法 | 第29-31页 |
| ·直流磁控溅射 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 薄膜的制备过程与性能表征 | 第34-41页 |
| ·直流反应磁控溅射系统 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜 | 第35-38页 |
| ·靶材的制备 | 第35页 |
| ·衬底的清洗 | 第35-36页 |
| ·薄膜的制备 | 第36-38页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第38-41页 |
| ·薄膜晶体结构的表征 | 第38-39页 |
| ·薄膜光学性能表征 | 第39页 |
| ·薄膜的表面形貌及成分分析 | 第39页 |
| ·薄膜的电学性能表征 | 第39-41页 |
| 第五章 SnO_2薄膜的p型共掺的理论研究 | 第41-48页 |
| ·含Ⅲ族杂质的SnO_2电子结构研究 | 第41-43页 |
| ·共掺实验方法的提出 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第六章 p型In-Al共掺SnO_2透明导电薄膜的研究 | 第48-69页 |
| ·共掺与单掺SnO_2薄膜晶体结构分析 | 第48-49页 |
| ·反应溅射法制备SnO_2:(In,Al)薄膜及其表征 | 第49-56页 |
| ·实验设备 | 第49页 |
| ·溅射靶材的制备 | 第49-50页 |
| ·反应溅射法TIAO薄膜的制备 | 第50页 |
| ·反应溅射法TIAO薄膜的表征与分析 | 第50-56页 |
| ·热氧化法制备SnO_2:(In,Al)薄膜及其表征 | 第56-61页 |
| ·热氧化法薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·热氧化法TIAO薄膜的表征及分析 | 第57-61页 |
| ·其他制备参数对TIAO薄膜性能的影响 | 第61-67页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第62-65页 |
| ·溅射时间对TIAO薄膜性能的影响 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第七章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
