| 摘要 | 第1-18页 |
| ABSTRACT | 第18-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-67页 |
| §1.1 微机电系统简介 | 第22-23页 |
| §1.2 现代微细加工技术 | 第23-41页 |
| ·微细加工技术分类 | 第24-25页 |
| ·光刻结合刻蚀技术 | 第25页 |
| ·体硅加工技术 | 第25-26页 |
| ·硅表面微加工技术 | 第26-27页 |
| ·LIGA技术 | 第27-28页 |
| ·复制技术 | 第28-29页 |
| ·三束直写加工技术 | 第29-30页 |
| ·电火花微加工技术 | 第30页 |
| ·新型无掩膜加工技术 | 第30-34页 |
| ·现代微细加工技术的应用 | 第34-41页 |
| §1.3 电化学微加工技术 | 第41-48页 |
| ·EFAB技术 | 第41-42页 |
| ·掩膜电化学加工技术 | 第42页 |
| ·超短脉冲电化学微加工 | 第42-44页 |
| ·硅电化学阳极溶解技术 | 第44-46页 |
| ·基于扫描电化学显微镜的微加工技术 | 第46-47页 |
| ·扫描探针技术 | 第47-48页 |
| §1.4 新型电化学微加工技术简介 | 第48-52页 |
| ·复杂三维加工方法及其局限性 | 第48-49页 |
| ·约束刻蚀剂层技术简介 | 第49-51页 |
| ·基于琼脂糖印章的电化学微加工技术 | 第51-52页 |
| §1.5 本论文的目标和设想 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-67页 |
| 第二章 实验部分 | 第67-96页 |
| §2.1 实验材料与试剂 | 第67-70页 |
| ·实验所用化学试剂 | 第67-68页 |
| ·被加工基底材料 | 第68-69页 |
| ·其它实验装备或器件所用材料 | 第69-70页 |
| §2.2 模板电极(工作电极)的制作 | 第70-82页 |
| ·Pt微圆柱电极的制备 | 第70页 |
| ·复杂硅基模板电极的制备、连接和包封 | 第70-73页 |
| ·微凹半球模板电极的制备 | 第73-74页 |
| ·三维Pt-Ir模板的制备 | 第74-76页 |
| ·PMMA/Ti/Pt模板电极 | 第76-80页 |
| ·几种模板电极的比较 | 第80-81页 |
| ·图案化的琼脂糖凝胶模板 | 第81-82页 |
| §2.3 电解池 | 第82-83页 |
| §2.4 超精密电化学微加工系统 | 第83-84页 |
| ·仪器的组成及其性能 | 第83-84页 |
| ·电化学微加工的基本步骤 | 第84页 |
| §2.5 磁控溅射技术 | 第84-87页 |
| §2.6 细胞培养 | 第87-90页 |
| ·细胞培养仪器与器皿 | 第87-88页 |
| ·仪器清洗及消毒 | 第88页 |
| ·溶液配置 | 第88-89页 |
| ·细胞培养操作 | 第89-90页 |
| §2.7 表征方法 | 第90-94页 |
| ·金相显微镜 | 第90页 |
| ·激光扫描共聚焦显微镜 | 第90-91页 |
| ·原子力显微镜 | 第91-92页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第92-93页 |
| ·倒置显微镜 | 第93-94页 |
| ·接触角测量 | 第94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第三章 约束刻蚀剂层技术用于n-GaAs表面三维微加工 | 第96-119页 |
| §3.1 前言 | 第96-98页 |
| §3.2 GaAs刻蚀体系的选择和优化 | 第98-106页 |
| ·刻蚀体系的选择 | 第98-103页 |
| ·刻蚀体系的优化 | 第103-106页 |
| §3.3 复杂三维模板的复制加工 | 第106-110页 |
| ·复杂硅基模板电极的复制加工 | 第106-108页 |
| ·微凹半球阵列模板电极的复制加工 | 第108-110页 |
| §3.4 GaAs表面微加工的一些探讨 | 第110-114页 |
| ·Br_2对不同晶面GaAs刻蚀的机理 | 第110页 |
| ·利用CELT技术对GaAs的深刻蚀 | 第110-114页 |
| §3.5 本章小节 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-119页 |
| 第四章 约束刻蚀剂层技术用于p-Si表面三维微加工 | 第119-147页 |
| §4.1 前言 | 第119-120页 |
| §4.2 Si刻蚀体系的选择和优化 | 第120-127页 |
| ·刻蚀体系的选择 | 第120-124页 |
| ·刻蚀体系的优化 | 第124-127页 |
| §4.3 复杂三维模板的复制加工 | 第127-138页 |
| ·Pt-Ir微半球模板电极的复制加工 | 第127-128页 |
| ·"XMU"模板电极的复制加工 | 第128-138页 |
| §4.4 Si及GaAs刻蚀体系的比较 | 第138-140页 |
| ·Si及GaAs刻蚀体系的差异 | 第138-139页 |
| ·Si及GaAs刻蚀体系差异的理论解释 | 第139-140页 |
| §4.5 本章小节 | 第140-142页 |
| 参考文献 | 第142-147页 |
| 第五章 约束刻蚀剂层技术用于n-GaAs上衍射光学微透镜的加工 | 第147-179页 |
| §5.1 前言 | 第147-148页 |
| §5.2 提高PMMA/Ti/Pt模板镀层稳定性的研究 | 第148-152页 |
| ·PMMA的表面溅射 | 第148-149页 |
| ·磁控溅射条件的优化 | 第149-152页 |
| §5.3 利用CELT技术加工n-GaAs衍射光学微透镜阵列 | 第152-166页 |
| ·CELT技术加工GaAs微透镜阵列元件的问题和应对 | 第152-158页 |
| ·GaAs微透镜阵列元件"刻蚀—捕捉"体系的优化和微区中溶液的补充 | 第158-166页 |
| §5.4 n-GaAs微光学元件高分辨加工的理论解释 | 第166-175页 |
| ·无基底时电生刻蚀剂的浓度分布 | 第167-169页 |
| ·模板与基底间薄层内电生刻蚀剂的浓度分布 | 第169-172页 |
| ·GaAs上二元光学元件刻蚀过程中涉及的理论模拟和计算 | 第172-175页 |
| §5.5 本章小节 | 第175-176页 |
| 参考文献 | 第176-179页 |
| 第六章 基于琼脂糖印章的电化学微加工技术 | 第179-212页 |
| §6.1 前言 | 第179-180页 |
| §6.2 使用E-WETS技术对p-Si的加工 | 第180-188页 |
| ·p-Si微加工体系电化学行为的研究 | 第181-184页 |
| ·E-WETS技术用于p-Si微加工 | 第184-187页 |
| ·影响p-Si微加工的因素 | 第187-188页 |
| §6.3 使用E-WETS技术对铜和镍的微加工 | 第188-198页 |
| ·使用E-WETS技术对铜的微加工 | 第188-194页 |
| ·使用E-WETS技术对镍的微加工 | 第194-198页 |
| §6.4 使用E-WETS对Au/ITO膜的微加工及其在生物方面的应用 | 第198-207页 |
| ·使用E-WETS技术对Au/ITO膜的微加工 | 第199-203页 |
| ·Hela细胞在图案化Au/ITO膜表面的阵列化 | 第203-207页 |
| §6.5 本章小结 | 第207-208页 |
| 参考文献 | 第208-212页 |
| 第七章 论文的一些探讨和展望 | 第212-220页 |
| §7.1 约束刻蚀剂层技术的一些探讨 | 第212-216页 |
| ·捕捉剂浓度选择与基底的关系 | 第212-214页 |
| ·GaAs上衍射型微光学元件加工仍然存在的问题 | 第214-215页 |
| ·GaAs上衍射型微光学元件的光学性能表征 | 第215-216页 |
| §7.2 约束刻蚀剂层技术的展望 | 第216-218页 |
| ·克服溶液补充问题的解决途径 | 第216-217页 |
| ·在基底上进行抛光整平的应用 | 第217页 |
| ·加工纳米尺度阵列结构 | 第217-218页 |
| ·CELT技术的拓展应用 | 第218页 |
| §7.3 电化学湿印章技术的展望 | 第218-219页 |
| 参考文献 | 第219-220页 |
| 作者攻读博士学位期间发表的论文 | 第220-222页 |
| 致谢 | 第222-223页 |
