| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-41页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·氮化铜薄膜的结构 | 第13-20页 |
| ·氮化铜薄膜的性能 | 第20-25页 |
| ·氮化铜薄膜的制备方法 | 第25页 |
| ·磁控溅射镀膜理论及实验 | 第25-32页 |
| ·薄膜测试 | 第32-39页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第39-41页 |
| 2 氮气气氛对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜结构和性能的影响 | 第41-60页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验方法 | 第42页 |
| ·不同氮气分压下制备氮化铜薄膜的结构和性能 | 第42-50页 |
| ·不同氮气流量下制备氮化铜薄膜的结构和性能 | 第50-56页 |
| ·氮气气氛影响氮化铜薄膜结构和性能的机理分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-60页 |
| 3 温度对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜结构和性能的影响 | 第60-69页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验方法 | 第60-61页 |
| ·基底温度对氮化铜薄膜结构和性能的影响 | 第61-65页 |
| ·退火温度对氮化铜薄膜结构的影响 | 第65-67页 |
| ·温度影响氮化铜薄膜结构和性能的机理分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 4 溅射功率对直流磁控溅射制备氮化铜薄膜结构和性能的影响 | 第69-78页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·实验方法 | 第69-70页 |
| ·不同溅射功率下制备氮化铜薄膜的结构研究 | 第70-74页 |
| ·不同溅射功率下制备氮化铜薄膜的电阻率 | 第74-75页 |
| ·溅射功率影响氮化铜薄膜结构和性能的机理分析 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 5 磁控双靶反应共溅射制备铝掺杂氮化铜（Al_xCu_3N）薄膜 | 第78-87页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·钙钛矿结构的替位理论 | 第78-80页 |
| ·实验方法 | 第80-81页 |
| ·AL_XCU_3N 薄膜的结构分析 | 第81-84页 |
| ·AL_XCU_3N 薄膜的性能研究 | 第84-85页 |
| ·金属掺杂改变氮化铜薄膜结构和性能的机理分析 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 6 稀土元素镧掺杂氮化铜（La_xCu_3N）薄膜的制备 | 第87-94页 |
| ·稀土元素的性质 | 第87页 |
| ·镧掺杂氮化铜薄膜的制备方法 | 第87-89页 |
| ·镧掺杂氮化铜薄膜的结构分析 | 第89-92页 |
| ·镧掺杂氮化铜薄膜的性能研究 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 7 不同金属掺杂氮化铜Cu_3XN (X=Al, La, Fe) 薄膜研究 | 第94-102页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·实验方法 | 第94-96页 |
| ·CU_3XN (X=AL, LA, FE) 薄膜结构分析 | 第96-100页 |
| ·CU_3XN (X=AL, LA, FE) 薄膜性能研究 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 8 结论与展望 | 第102-107页 |
| ·主要结论 | 第102-104页 |
| ·本论文的创新之处 | 第104-105页 |
| ·需要进一步研究的问题 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-116页 |
| 附录 攻读博士期间发表和完成的论文 | 第116-117页 |
