离子束技术在超低损耗薄膜中的应用
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-17页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第7-8页 |
| ·研究现状 | 第8-15页 |
| ·薄膜的发展概况 | 第8页 |
| ·离子束辅助沉积技术 | 第8-11页 |
| ·超低损耗薄膜 | 第11-15页 |
| ·本文主要研究工作 | 第15-16页 |
| ·本文内容安排 | 第16-17页 |
| 2 实验方案和薄膜材料选取 | 第17-21页 |
| ·实验方案 | 第17-18页 |
| ·薄膜材料选择的基本要求 | 第18-21页 |
| ·薄膜材料的透明区域 | 第18页 |
| ·薄膜材料的折射率 | 第18页 |
| ·机械牢固度和化学稳定性 | 第18-19页 |
| ·薄膜的结构对损耗的影响 | 第19页 |
| ·所选材料基本性质 | 第19-21页 |
| 3 实验环境及离子能量、束流密度测量 | 第21-27页 |
| ·实验环境 | 第21页 |
| ·真空系统 | 第21页 |
| ·离子源 | 第21页 |
| ·离子能量和束流密度的测量装置 | 第21-23页 |
| ·离子能量的测量装置 | 第21-22页 |
| ·束流密度的测量装置 | 第22-23页 |
| ·测量结果及分析 | 第23-25页 |
| ·离子能量的测量结果及分析 | 第23-24页 |
| ·束流密度的测量结果及分析 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 4 单层薄膜制备及损耗分析 | 第27-59页 |
| ·单层薄膜制备 | 第27-28页 |
| ·基底材料 | 第27页 |
| ·基底清洗 | 第27页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第27页 |
| ·膜厚监控系统 | 第27页 |
| ·单层膜的工艺条件 | 第27-28页 |
| ·制备过程 | 第28页 |
| ·单层薄膜损耗理论 | 第28-32页 |
| ·单层薄膜的吸收损耗 | 第28-31页 |
| ·单层薄膜的散射损耗 | 第31-32页 |
| ·单层薄膜总损耗 | 第32页 |
| ·实验结果及损耗分析 | 第32-58页 |
| ·数据分析流程图 | 第32-33页 |
| ·HfO_2 薄膜 | 第33-49页 |
| ·SiO_2 薄膜 | 第49-56页 |
| ·Ta_2O_5 薄膜 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 5 多层膜制备及损耗分析 | 第59-66页 |
| ·多层膜场强分布对薄膜损耗影响理论 | 第59-60页 |
| ·膜系设计 | 第60-62页 |
| ·HfO_2/SiO_2 双层增透膜 | 第61页 |
| ·Ta_2O_5/SiO_2 双层增透膜 | 第61-62页 |
| ·多层膜制备及损耗分析 | 第62-65页 |
| ·多层膜制备 | 第62页 |
| ·多层膜损耗分析 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 6 结论 | 第66-69页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| ·研究的几点建议 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-77页 |
