目录 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-12页 |
第一章 含局域d/f电子的化合物研究背景 | 第12-24页 |
·L(S)DA处理含有局域的d/f电子的局限 | 第12-13页 |
·3d过渡金属氧化物的研究背景 | 第13-17页 |
·4f稀土化物的研究背景 | 第17-19页 |
参考文献 | 第19-24页 |
第二章 计算方法简介 | 第24-39页 |
·密度泛函理论 | 第24-25页 |
·局域(自旋)密度近似(L(S)DA) | 第25-26页 |
·LSDA+U方法 | 第26-28页 |
·全势线性缀加平面波方法(FLAPW方法) | 第28-31页 |
·线性缀加平面波方法(LAPW方法) | 第29-30页 |
·全势线性缀加平面波方法(FLAPW方法) | 第30-31页 |
·线性Muffin-tin轨道(LMTO)方法的原理 | 第31-37页 |
·势场近似 | 第31-32页 |
·Muffin-tin轨道 | 第32-34页 |
·LMTO方法 | 第34-35页 |
·原子球近似(ASA) | 第35-36页 |
·LMTO方法的优点 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-39页 |
第三章 应变及氧空位对La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_3电子结构的影响 | 第39-75页 |
·应变对La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_3电子结构的影响 | 第39-52页 |
·背景简介 | 第39-40页 |
·计算细节 | 第40-41页 |
·La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_3膜的结构平衡性质 | 第41-44页 |
·La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_3膜的电子结构 | 第44-50页 |
·小结 | 第50-52页 |
·氧空位对La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_3电子结构的影响 | 第52-70页 |
·背景简介 | 第52-53页 |
·计算和实验细节 | 第53-56页 |
·理论结果和讨论 | 第56-63页 |
·实验结果和讨论 | 第63-67页 |
·小结 | 第67-70页 |
参考文献 | 第70-75页 |
第四章 稀土氧化物和硅化物的理论研究 | 第75-98页 |
·钙钛矿结构材料BaTbO_3的电子结构 | 第75-82页 |
·背景简介 | 第75页 |
·计算细节 | 第75-76页 |
·BaTbO_3的电子结构 | 第76-81页 |
·小结 | 第81-82页 |
·铒硅材料中铒4f作价态处理的必要性研究 | 第82-94页 |
·背景简介 | 第82-83页 |
·计算细节 | 第83-84页 |
·总能和电子结构 | 第84-92页 |
·小结 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-98页 |
第五章 结束语 | 第98-99页 |
博士期间的论文及学术活动 | 第99-100页 |
致谢 | 第100-103页 |