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电子元器件的贮存可靠性研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目录第6-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·贮存可靠性概述第9-10页
   ·贮存可靠性的意义和重要性第10-11页
   ·国内外研究现状第11-13页
   ·研究内容第13-15页
第二章 贮存状态下应力对可靠性影响第15-27页
   ·引言第15页
   ·热效应的影响第15-18页
   ·化学效应的影响第18-24页
     ·外引线的腐蚀第18-19页
     ·封装的水汽侵入第19-22页
     ·潮湿对芯片可靠性的影响第22-24页
   ·辐射效应的影响第24-26页
   ·本章小节第26-27页
第三章 贮存可靠性的评价第27-37页
   ·引言第27-28页
   ·贮存可靠性的自然贮存评价第28页
   ·贮存可靠性的加速应力评价第28-30页
   ·本研究的评价试验方案第30-33页
     ·试验概况第30-32页
     ·试验样品情况第32页
     ·贮存试验参数的监测第32-33页
   ·试验结果统计第33页
   ·环境地域差异性对器件贮存可靠性影响的分析第33-34页
   ·本章小结第34-37页
第四章 主要失效模式和机理研究第37-51页
   ·引言第37-39页
   ·腐蚀的失效机理研究第39-43页
   ·键合失效的机理研究第43-44页
   ·贴装失效第44-47页
   ·其他失效第47-50页
   ·本章小结第50-51页
第五章 贮存寿命预测方法研究第51-64页
   ·引言第51-53页
   ·预测方法模型第53-58页
     ·灰色系统预测模型第53-56页
     ·BP神经网络预测模型第56-58页
   ·寿命预测模型的结果分析第58-63页
     ·GM(1,1)模型预测结果分析第58-61页
     ·BP神经网络模型预测结果分析第61-63页
   ·本章小结第63-64页
结论第64-65页
参考文献第65-68页
攻读学位期间发表的论文第68页
独创性声明第68-69页
致谢第69页

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