| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)介绍 | 第7-9页 |
| ·VCSEL阵列介绍 | 第9-10页 |
| 第二章 VCSEL单元及阵列热效应 | 第10-14页 |
| ·VCSEL的热特性 | 第10-11页 |
| ·列阵器件中的热相互作用 | 第11-14页 |
| 第三章 金刚石热沉体系研究 | 第14-23页 |
| ·金刚石膜Ti/Ni/Au金属化体系简介 | 第14-15页 |
| ·实验 | 第15-16页 |
| ·结果与讨论 | 第16-23页 |
| ·Ti/Ni/Au多层薄膜和金刚石膜之间的结合强度 | 第16页 |
| ·Ti/Ni/Au多层薄膜的AES分析 | 第16-19页 |
| ·RBS分析 | 第19-20页 |
| ·XRD分析 | 第20-22页 |
| ·实际应用效果 | 第22-23页 |
| ·结论 | 第23页 |
| 第四章 VCSEL阵列器件制备工艺 | 第23-51页 |
| ·几种VCSEL阵列器件制作工艺的特点 | 第23-26页 |
| ·二次沉积SiO_2法制备VCSEL阵列器件 | 第24-25页 |
| ·离子注入隔离实现VCSEL阵列工艺 | 第25-26页 |
| ·氧化物隔离VCSEL阵列器件 | 第26页 |
| ·氧化物限制型垂直腔面发射激光器阵列的研制 | 第26-48页 |
| ·P型DBR导电特性的讨论 | 第27-28页 |
| ·氧化物限制型VCSEL阵列外延片的结构设计 | 第28-31页 |
| ·氧化物限制型VCSEL阵列工艺过程 | 第31-32页 |
| ·光刻工艺过程 | 第32-40页 |
| ·GaAs/AlGaAs的湿法刻蚀 | 第40-42页 |
| ·侧向选择氧化工艺 | 第42-46页 |
| ·阵列欧姆接触层的制备工艺 | 第46-48页 |
| ·VCSEL P-I-V特性及光谱特性测试 | 第48-51页 |
| 结束语 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |