| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 引言 | 第8-16页 |
| ·平板显示器件的发展 | 第8-11页 |
| ·TFT-LCD仍占据主流地位 | 第9-10页 |
| ·OLED开始冲击小尺寸显示应用 | 第10-11页 |
| ·低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)技术的发展 | 第11-13页 |
| ·LTPS TFT的特点 | 第11-12页 |
| ·低温多晶硅的制备技术 | 第12-13页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 2 多晶硅薄膜材料的低温制备 | 第16-36页 |
| ·多晶硅薄膜材料的表征手段 | 第16-19页 |
| ·紫外辅助晶化(UV-assisted Crystallization) | 第19-25页 |
| ·紫外辅助晶化设备 | 第19-20页 |
| ·紫外辅助晶化非晶硅薄膜 | 第20页 |
| ·紫外辅助晶化制备的多晶硅薄膜的表征 | 第20-25页 |
| ·金属诱导晶化(MIC/MILC) | 第25-28页 |
| ·金属诱导晶化非晶硅薄膜 | 第25-26页 |
| ·金属诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜的表征 | 第26-28页 |
| ·金属诱导与激光退火晶化相结合(MIC/MILC+ELA) | 第28-33页 |
| ·激光退火MIC/MILC多晶硅 | 第28-31页 |
| ·金属诱导—双次激光退火晶化(MI bi-ELA) | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 3 金属诱导晶化非晶硅薄膜的机理和模型 | 第36-57页 |
| ·非晶硅薄膜的金属诱导晶化机理 | 第36-39页 |
| ·金属诱导晶化非晶硅薄膜的模型 | 第39-55页 |
| ·一维假设 | 第41页 |
| ·MILC晶粒生长与NiSi_2的宽度 | 第41-43页 |
| ·扩散控制生长阶段 | 第43-45页 |
| ·表面反应控制生长阶段 | 第45-49页 |
| ·理论结果 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 4 Poly-Si TFTs 的电学特性与模型 | 第57-87页 |
| ·概述 | 第57-65页 |
| ·多晶硅薄膜中的缺陷 | 第57-58页 |
| ·晶粒结构对载流子输运的影响 | 第58-60页 |
| ·器件参数及其实验提取 | 第60-65页 |
| ·Poly-Si TFT模型 | 第65-77页 |
| ·Poly-Si TFT模型参数 | 第67-68页 |
| ·I-V模型 | 第68-72页 |
| ·阈值电压模型 | 第72-75页 |
| ·C-V模型 | 第75-77页 |
| ·Poly-Si TFT模型改进 | 第77-84页 |
| ·Poly-Si TFT模型改进 | 第77-79页 |
| ·参数提取 | 第79-81页 |
| ·仿真结果与实验数据对比 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 5 基于LTPS TFT的AMOLED象素与周边集成设计与仿真 | 第87-108页 |
| ·AMOLED象素电路及工作原理 | 第87-98页 |
| ·2-TFT OLED电压型象素驱动电路 | 第88-89页 |
| ·电流型OLED象素驱动电路 | 第89-90页 |
| ·AMOLED象素电路仿真分析 | 第90-98页 |
| ·基于LTPS TFT的周边驱动电路设计与仿真 | 第98-105页 |
| ·基本逻辑单元 | 第98-103页 |
| ·栅驱动电路设计与仿真 | 第103-104页 |
| ·源驱动电路设计与仿真 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 6 总结 | 第108-110页 |
| 附录 | 第110-111页 |
| 个人简历 | 第110页 |
| 在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
