| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 图目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| ·引言—光纤通信发展历程 | 第13-16页 |
| ·光开关的研究概况 | 第16-18页 |
| ·InP基量子阱电光开关的研究概况 | 第18-23页 |
| ·耦合量子阱的国内外研究状况 | 第23-30页 |
| ·耦合量子阱的国际研究状况 | 第23-29页 |
| ·耦合量子阱的国内研究状况 | 第29-30页 |
| ·本研究的目的 | 第30-31页 |
| ·本论文的内容 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 第二章 量子阱能级特性的分析 | 第39-77页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·量子阱能级特性的研究 | 第40-60页 |
| ·单量子阱基态能级的形成及其随外电场变化规律 | 第40-43页 |
| ·对称耦合量子阱中最低、次低子能级的形成及其随外电场变化规律 | 第43-51页 |
| ·非对称耦合量子阱中最低、次低子能级的形成及与对称耦合量子阱能级特性的比较 | 第51-57页 |
| ·一种新的耦合量子阱结构—准对称耦合量子阱 | 第57-60页 |
| ·量子阱结构电光特性分析的基本理论 | 第60-71页 |
| ·本征能级和波函数的计算 | 第61-65页 |
| ·激子束缚能的计算 | 第65-67页 |
| ·量子阱中折射率和吸收系数的电场依赖 | 第67-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 第三章 InP基耦合量子阱结构优化设计 | 第77-131页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·InP基耦合量子阱的阱、垒材料搭配 | 第77-78页 |
| ·InP基 InGaAs/InAlAs应变量子阱各种参数的计算 | 第78-86页 |
| ·InGaAs、InAlAS三元化合物带隙能量、电子和空穴有效质量的插值计算 | 第79-80页 |
| ·InP基InGaAs/InAlAs应变量子阱中阱和垒中的应力、阱和垒的带隙、阱和垒之间的带偏移的计算 | 第80-86页 |
| ·InP基 InGaAs/InAlAs准对称耦合量子阱结构优化设计 | 第86-125页 |
| ·电光开关的理想工作条件 | 第89-90页 |
| ·InP基InGaAs/InAlAs准对称耦合量子阱结构优化 | 第90-117页 |
| ·InP基InGaAs/InAlAs准对称耦合量子阱的电光特性 | 第117-125页 |
| ·小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-131页 |
| 第四章 波导结构设计及制作工艺研究 | 第131-141页 |
| ·引言 | 第131页 |
| ·波导结构设计 | 第131-133页 |
| ·波导制作工艺探索 | 第133-138页 |
| ·器件版图 | 第133-134页 |
| ·波导器件制作工艺探索 | 第134-138页 |
| ·小结 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-141页 |
| 第五章 总结与展望 | 第141-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 附录: 攻读博士学位期间发表的论文 | 第145页 |
