| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·ZRO_2 和掺杂ZRO_2 | 第9-12页 |
| ·ZRO_2 薄膜的主要用途 | 第12-16页 |
| ·氧传感器 | 第12-13页 |
| ·固体燃料电池 | 第13-14页 |
| ·超导缓冲层 | 第14-15页 |
| ·金属－氧化物－半导体中的栅极 | 第15页 |
| ·结构涂层材料与光波导材料 | 第15-16页 |
| ·ZRO_2 和钇稳氧化锆（YSZ）薄膜的制备方法 | 第16-22页 |
| ·溅射法 | 第16-17页 |
| ·电子束蒸发法 | 第17-19页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
| ·离子束辅助沉积法 | 第20-22页 |
| ·论文的选题和结构体系 | 第22-23页 |
| 第二章 实验原理与方案 | 第23-34页 |
| ·薄膜的制备 | 第23-26页 |
| ·蒸发原理 | 第23-24页 |
| ·外延生长原理 | 第24-25页 |
| ·离子束轰击 | 第25-26页 |
| ·实验方案 | 第26-29页 |
| ·实验步骤 | 第27页 |
| ·药品规格 | 第27-28页 |
| ·蒸发原料的制备 | 第28页 |
| ·Si 基片清洗 | 第28页 |
| ·加热器的制备 | 第28-29页 |
| ·外延薄膜的制备方法 | 第29-32页 |
| ·电子束蒸发沉积薄膜 | 第29-30页 |
| ·热处理薄膜 | 第30-31页 |
| ·离子束轰击改性 | 第31-32页 |
| ·分析仪器 | 第32-34页 |
| ·X－RAY 衍射仪 | 第32-33页 |
| ·X 射线光电子能谱分析仪 | 第33-34页 |
| 第三章 掺铝氧化锆薄膜的制备及结果分析 | 第34-49页 |
| ·基板温度对薄膜结构的影响 | 第34-39页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| ·基板温度对薄膜结构的影响 | 第35-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| ·不同蒸发原料成分对薄膜结构的影响 | 第39页 |
| ·蒸发束流对薄膜结构的影响 | 第39-42页 |
| ·样品制备 | 第40页 |
| ·蒸发束流对薄膜结构的影响 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| ·薄膜成分分析 | 第42-44页 |
| ·薄膜的制备及XPS 分析 | 第42-43页 |
| ·结果与分析 | 第43-44页 |
| ·热处理对薄膜结构的影响 | 第44-45页 |
| ·离子束轰击对薄膜的影响 | 第45-48页 |
| ·不同能量轰击对薄膜结构的影响 | 第47页 |
| ·相同能量轰击对不同条件制备薄膜结构的影响 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 钇稳氧化锆（YSZ）薄膜的制备及结果分析 | 第49-53页 |
| ·基板温度对钇稳氧化锆（YSZ）薄膜结构的影响 | 第49-50页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·基板温度对薄膜结构的影响 | 第50页 |
| ·蒸发束流对钇稳氧化锆（YSZ）薄膜结构的影响 | 第50-51页 |
| ·样品制备 | 第50-51页 |
| ·蒸发束流对钇稳氧化锆（YSZ）薄膜结构的影响 | 第51页 |
| ·通氧量对钇稳氧化锆（YSZ）薄膜结构的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 个人简历 | 第60页 |