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氢吸附导致的SiC表面金属化的第一原理研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第1章 引言第7-11页
   ·低维材料第8页
   ·第一原理计算方法第8-9页
   ·论文的内容和安排第9-11页
第2章 第一原理方法第11-51页
   ·概述第13-15页
   ·BORN-OPPENHEIMER 近似第15-16页
   ·密度泛函理论(DENSITY FUNCTIONAL THEORY)第16-19页
   ·波函数的平面波基组(PLANE WAVE BASIS SET)展开第19-20页
   ·赝势(PSEUDOPOTENTIAL)方法第20-26页
   ·交换关联(EXCHANGE-CORRELATION)函数第26-32页
   ·VASP(THE VIENNA AB INITIO SIMULATION PACKAGE)第32-35页
   ·一些特别的细节第35-42页
   ·第一原理基态计算结果的分析第42-51页
第3章 3C-SIC(3×2)表面氢吸附的研究第51-83页
   ·3C-SIC 及其表面的基本性质第51-55页
   ·3C-SIC(001)-3×2 表面氢吸附导致的金属化第55-60页
   ·我们的理论研究第60-83页
第4章 结论第83-85页
参考文献第85-94页
致谢第94-95页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第95页

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