| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·纳米通道技术 | 第8-17页 |
| ·生物性纳米通道的研究进展 | 第9-12页 |
| ·材料性纳米通道的研究进展 | 第12-17页 |
| ·农药残留物分离与检测的研究现状 | 第17-19页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·农药残留物分离检测的常规方法 | 第17-19页 |
| ·本文构思 | 第19-21页 |
| 第二章 金纳米通道膜的制备 | 第21-27页 |
| ·前言 | 第21页 |
| ·实验部分 | 第21-22页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第21-22页 |
| ·金纳米通道膜的制备 | 第22页 |
| ·金纳米通道的表征 | 第22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-26页 |
| ·金纳米通道制备的原理 | 第22-23页 |
| ·金纳米通道制备的影响因素 | 第23-25页 |
| ·氯化亚锡溶液的配置 | 第23页 |
| ·摇床转动频率的影响 | 第23-24页 |
| ·pH值对金沉积的影响 | 第24页 |
| ·沉积过程中温度的影响 | 第24页 |
| ·沉积时间对金纳米通道制备的影响 | 第24-25页 |
| ·金纳米通道的表征 | 第25-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 金纳米通道用于百草枯与阿特拉津的分离与检测 | 第27-38页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·实验部分 | 第28-30页 |
| ·仪器与试剂 | 第28页 |
| ·实验原理 | 第28页 |
| ·实验方法 | 第28-30页 |
| ·金纳米通道的表征及zeta电位谱图 | 第28-29页 |
| ·分离装置 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·金纳米通道表征谱图 | 第30页 |
| ·百草枯与阿特拉津在金通道内的过膜情况 | 第30-31页 |
| ·不同电压对各组份的影响 | 第31-32页 |
| ·溶液离子强度的影响 | 第32-33页 |
| ·pH的影响 | 第33-34页 |
| ·恒定电压下,百草枯与阿特拉津的分离 | 第34-35页 |
| ·百草枯的测定 | 第35-36页 |
| ·重复性 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 表面活性剂对百草枯与阿特拉津在通道内迁移特性的影响 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·仪器与试剂 | 第38-39页 |
| ·实验方法 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-46页 |
| ·实验原理 | 第39页 |
| ·Au膜的表征与zeta电位 | 第39-40页 |
| ·未加电场作用下,CTAB的浓度对混合组分ATR与paraquat分离度的影响 | 第40-43页 |
| ·在3V恒电压下,表面活性剂CTAB对混合组分ATR与paraquat分离度的影响 | 第43-45页 |
| ·阴离子表面活性剂SDS以及非离子型表面活性剂OP-10在金通道内的情况 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第五章 Cu~(2+),Pb~(2+),Cd~(2+)离子对阿特拉津在修饰3-巯基丙酸和L-半胱氨酸的金纳米通道内迁移的影响 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·实验部分 | 第50页 |
| ·仪器与试剂 | 第50页 |
| ·实验方法 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·实验原理 | 第50-51页 |
| ·Au膜的表征 | 第51页 |
| ·阿特拉津在3-Mer与L-cys修饰的金纳米通道内的迁移 | 第51-52页 |
| ·铜离子对阿特拉津在3-Mer与L-cys修饰的金纳米通道内的迁移影响 | 第52-53页 |
| ·铅离子对阿特拉津在3-Mer与L-cys修饰的金纳米通道内的迁移影响 | 第53-54页 |
| ·铬离子对阿特拉津在3-Mer与L-cys修饰的金纳米通道内的迁移影响 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
