| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·p-n结的光伏效应 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的评价指标 | 第11-13页 |
| ·单色光转换效率 | 第11-12页 |
| ·短路电流 | 第12页 |
| ·开路电压 | 第12页 |
| ·转换效率 | 第12-13页 |
| ·太阳能电池的发展及分类 | 第13-24页 |
| ·硅太阳能电池 | 第13-15页 |
| ·无机化合物薄膜太阳能电池 | 第15-17页 |
| ·有机太阳能电池 | 第17-18页 |
| ·纳米晶太阳能电池 | 第18-24页 |
| ·硫属半导体材料性质及应用 | 第24-28页 |
| ·CuInS_2 半导体性质 | 第24-26页 |
| ·CuInSe_2半导体性质 | 第26-27页 |
| ·硫属半导体在太阳能电池中的应用 | 第27-28页 |
| ·三元硫属半导体薄膜的制备 | 第28-34页 |
| ·气相法 | 第29-32页 |
| ·低温液相法 | 第32-34页 |
| ·课题的提出 | 第34-35页 |
| 第二章 实验与研究方法 | 第35-40页 |
| ·实验原料与设备 | 第35-37页 |
| ·实验原料 | 第35-36页 |
| ·实验设备 | 第36-37页 |
| ·测试与表征 | 第37-40页 |
| ·测试仪器 | 第37-38页 |
| ·测试方法 | 第38-40页 |
| 第三章 铜铟硫CuInS_2薄膜的化学浴法制备与表征 | 第40-48页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验部分 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-47页 |
| ·反应机理 | 第41-42页 |
| ·工艺过程的影响 | 第42-47页 |
| 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 铜铟硫CuInS_2薄膜的SILAR法制备与表征 | 第48-68页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-66页 |
| ·SILAR 法生长机理 | 第49-51页 |
| ·前驱体溶液物质配比的影响 | 第51-56页 |
| ·热处理温度的影响 | 第56-61页 |
| ·前驱体溶液浓度的影响 | 第61-64页 |
| ·反应循环次数的影响 | 第64-66页 |
| 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 铜铟硒CuInSe_2薄膜的SILAR法制备与表征 | 第68-84页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·实验部分 | 第68-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-82页 |
| ·前驱体溶液组成的影响 | 第70-73页 |
| ·热处理温度的影响 | 第73-79页 |
| ·前驱体溶液浓度和循环反应次数的影响 | 第79-82页 |
| 本章小结 | 第82-84页 |
| 第六章 铜铟硒CuInSe_2薄膜的电沉积法制备与表征 | 第84-94页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·实验部分 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-93页 |
| ·电化学沉积CuInSe_2薄膜的原理 | 第85-86页 |
| ·沉积电位的影响 | 第86-88页 |
| ·络合剂的影响 | 第88-90页 |
| ·热处理温度的影响 | 第90-92页 |
| ·电沉积时间的影响 | 第92-93页 |
| 本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 多孔TiO_2基底上三元硫属薄膜的制备与表征 | 第94-103页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·多孔TiO_2薄膜的性质 | 第94-95页 |
| ·TiO_2基底上CuInS_2薄膜的SILAR法制备与性质 | 第95-98页 |
| ·XRD 分析 | 第95-96页 |
| ·显微结构分析 | 第96-97页 |
| ·化学组成分析 | 第97页 |
| ·光学性能分析 | 第97-98页 |
| ·TiO_2基底上CuInSe_2薄膜的电沉积法制备与性质 | 第98-102页 |
| ·CuInSe_2薄膜的沉积电位选择 | 第98-99页 |
| ·XRD 分析 | 第99-100页 |
| ·光性能和显微结构 | 第100-102页 |
| ·化学组成分析 | 第102页 |
| 本章小结 | 第102-103页 |
| 第八章 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-118页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120页 |
