| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| 1-1 前言 | 第7-8页 |
| 1-2 文献综述 | 第8-22页 |
| 1-2-1 硅中缺陷 | 第8-9页 |
| 1-2-2 空洞型微缺陷的分类与特征 | 第9-10页 |
| 1-2-3 空洞型微缺陷对GOI的影响 | 第10页 |
| 1-2-4 空洞型微缺陷的形成 | 第10-13页 |
| 1-2-5 杂质对空洞型微缺陷的影响 | 第13-17页 |
| 1-2-6 空洞型微缺陷的消除 | 第17-20页 |
| 1-2-7 MDZ的形成机理 | 第20-22页 |
| 1-3 本论文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验 | 第24-29页 |
| 2-1 实验样品的腐蚀 | 第24页 |
| 2-2 FPDs及清洁区的光学显微观察 | 第24-25页 |
| 2-3 FPDs的原子力显微镜观察 | 第25-27页 |
| 2-3-1 原子力显微镜(AFM)的基本原理 | 第25-27页 |
| 2-3-2 AFM样品制备 | 第27页 |
| 2-3-3 AFM观察 | 第27页 |
| 2-4 硅片的热处理 | 第27-29页 |
| 2-4-1 快速热处理 | 第27-28页 |
| 2-4-2 常规热处理 | 第28-29页 |
| 第三章 RTA气氛对VOIDS缺陷的影响及其消除机制 | 第29-41页 |
| 3-1 实验方案 | 第29页 |
| 3-2 实验结果与分析 | 第29-40页 |
| 3-2-1 硅片中FPDs的密度分布和形貌 | 第29-35页 |
| 3-2-2 不同气氛快速热处理对硅片中FPDs的影响 | 第35-40页 |
| 3-3 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 掺杂原子对空洞型微缺陷的影响 | 第41-51页 |
| 4-1 实验方案 | 第41-42页 |
| 4-2 结果与讨论 | 第42-50页 |
| 4-2-1 重掺Sb和轻掺B硅片中空洞型微缺陷的密度 | 第42-47页 |
| 4-2-2 快速热处理对不同掺杂硅片中FPDs的影响 | 第47页 |
| 4-2-3 不同气氛下快速热处理对重掺Sb和轻掺B硅片中FPDs的影响 | 第47-50页 |
| 4-3 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 RTA预处理对MDZ的影响 | 第51-60页 |
| 5-1 实验方案 | 第51-52页 |
| 5-2 实验结果 | 第52-55页 |
| 5-3 分析与讨论 | 第55-58页 |
| 5-3-1 MDZ的形成 | 第55页 |
| 5-3-2 高温快速热处理对MDZ的影响 | 第55-58页 |
| 5-4 小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第65页 |
