| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-11页 |
| 2 文献综述 | 第11-32页 |
| ·C-RAM的存储原理 | 第11-12页 |
| ·C-RAM的研究历程 | 第12-14页 |
| ·C-RAM的特点与发展趋势 | 第14-17页 |
| ·C-RAM的应用前景 | 第17-18页 |
| ·C-RAM的关键相变材料 | 第18-22页 |
| ·C-RAM的器件结构设计与小尺寸化研究现状 | 第22-25页 |
| ·相变材料尺寸小型化的C—RAM器件结构 | 第23-24页 |
| ·电极尺寸的小型化的C—RAM器件结构 | 第24-25页 |
| ·C-RAM器件工艺中的几个关键问题 | 第25-32页 |
| ·操作电流的减小问题 | 第25-28页 |
| ·器件单元的失效问题 | 第28-32页 |
| 3 实验过程和方法 | 第32-37页 |
| ·样品的制备 | 第32-34页 |
| ·多靶磁控溅射仪 | 第32页 |
| ·薄膜样品的制备和热处理 | 第32-34页 |
| ·样品性能测试 | 第34-37页 |
| ·样品的成分和厚度分析 | 第34页 |
| ·样品的形貌分析 | 第34-35页 |
| ·薄膜样品的结构和电学性能分析 | 第35页 |
| ·相变薄膜结晶热力学常数的测试 | 第35页 |
| ·C—RAM电学性能的测试 | 第35-37页 |
| 4 C-RAM关键相变材料GE_2SB_2TE_5薄膜的制备与性能表征 | 第37-48页 |
| ·GE_2SB_2TE_5相变薄膜的结晶热力学性能 | 第37-39页 |
| ·GE_2SB_2TE_5相变薄膜的结构与形貌研究 | 第39-46页 |
| ·GE_2SB_2TE_5相变薄膜的电学性能研究 | 第46-48页 |
| 5 C-RAM关键相变材料GE,SB,TE_5薄膜的掺杂改性研究 | 第48-73页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·氮离子注入对GE_2SB_2TE_5薄膜性能的影响 | 第48-59页 |
| ·氧离子注入对GE_2SB_2TE_5薄膜性能的影响 | 第59-67页 |
| ·硼离子注入对GE_2SB_2TE_5薄膜性能的影响 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 6 C-RAM器件单元制备工艺与性能表征 | 第73-92页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·GE_2SB_2TE_5相变材料C-RAM器件单元制备工艺与性能表征 | 第73-84页 |
| ·SB_2TE_3相变材料C-RAM器件单元制备工艺与性能表征 | 第84-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 7 结论 | 第92-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 刘波博士后工作期间发表的学术论文和申请的专利目录 | 第101-104页 |
| 刘波博士期间发表的学术论文目录 | 第104-106页 |
| 刘波博士后工作期间参与的科研项目目录 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 刘波个人简历 | 第109页 |
