第1章 绪论 | 第1-15页 |
·陶瓷材料胶态成型制备的研究现状 | 第7-9页 |
·高固相含量料浆的制备与陶瓷粉体的表面改性 | 第9-11页 |
·论文研究的内容和意义 | 第11-15页 |
·论文研究工作的重要意义 | 第11-14页 |
·论文研究的主要内容 | 第14-15页 |
第2章 改性SiC粉体的制备 | 第15-25页 |
·实验原料 | 第15-16页 |
·SiC粉体 | 第15-16页 |
·辅助原料及化学试剂 | 第16页 |
·有机包覆SiC粉体的工艺 | 第16-20页 |
·有机包覆体系 | 第16-17页 |
·包覆工艺流程 | 第17-18页 |
·SiC粉的预处理 | 第18页 |
·偶联剂包覆SiC粉的工艺 | 第18-19页 |
·SiC粉包覆分散功能层的工艺过程 | 第19-20页 |
·影响包覆改性效果的工艺因素 | 第20-25页 |
·偶联剂种类对料浆分散最大固含量的影响 | 第20-21页 |
·偶联剂种类对双层包覆粉体分散固含量的影响 | 第21页 |
·单体接枝聚合反应条件的影响 | 第21-25页 |
第3章 改性SiC粉体表面结构和性能的表征 | 第25-35页 |
·改性SiC粉体的定性分析 | 第25-30页 |
·粉体的X-射线衍射分析 | 第25-26页 |
·粉体的TEM测试分析 | 第26页 |
·粉体的DSC-TG测试分析 | 第26-27页 |
·粉体的红外光谱分析 | 第27-30页 |
·改性SiC粉体悬浮液的离子电导率 | 第30-31页 |
·改性SiC粉体水基分散的润湿性和稳定性 | 第31-35页 |
·SiC粉体的润湿性 | 第31-33页 |
·SiC粉体的分散稳定性 | 第33-35页 |
第4章 表面改性对水基分散SiC料浆流动性能的影响及其分散机制 | 第35-50页 |
·原始SiC粉体的Zeta电位与料浆流动特性 | 第35-37页 |
·原始SiC粉体胶粒的Zeta电位 | 第35-36页 |
·原始SiC粉体料浆的流动特性 | 第36-37页 |
·改性SiC粉体的Zeta电位与料浆流动特性 | 第37-44页 |
·偶联剂包覆粉体的Zeta电位 | 第37-39页 |
·偶联剂包覆粉体的分散与流动特性 | 第39-40页 |
·双层包覆粉体的Zeta电位 | 第40-41页 |
·双层包覆SiC粉体的分散及流动特性 | 第41-44页 |
·改性SiC粉体的分散机制 | 第44-50页 |
·稳定分散理论 | 第44-45页 |
·偶联剂包覆粉体的稳定分散机制 | 第45-46页 |
·双层包覆粉体的分散机制 | 第46-50页 |
第5章 胶态成型制备SiC陶瓷坯体 | 第50-59页 |
·高固相含量料浆的制备 | 第50-52页 |
·坯体成型工艺 | 第52-56页 |
·注浆成型碳化硅陶瓷坯体 | 第52-54页 |
·反应烧结碳化硅陶瓷坯体的成型 | 第54-56页 |
·成型坯体的性能 | 第56-59页 |
·成型坯体的均一性 | 第56-58页 |
·成型坯体的抗折强度 | 第58-59页 |
第6章 结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
硕士期间发表的论文 | 第66-67页 |
致谢 | 第67页 |