| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景 | 第9-12页 |
| ·国内外发展状况 | 第12-15页 |
| ·用于侦察 | 第12页 |
| ·用于夜间驾驶与导航 | 第12-13页 |
| ·用于武器的夜间瞄准 | 第13页 |
| ·用于红外告警 | 第13页 |
| ·用于雷场探测与化学战剂探测 | 第13-14页 |
| ·用于精确制导 | 第14页 |
| ·用于识别伪装 | 第14-15页 |
| ·研究主要工作 | 第15-16页 |
| 2 离子源 | 第16-25页 |
| ·离子源概述 | 第16页 |
| ·离子源的种类 | 第16-18页 |
| ·Kaufman源基本原理 | 第18-19页 |
| ·基本要求 | 第18-19页 |
| ·离子源工作的基本过程 | 第19页 |
| ·Kaufman离子源的设计原理 | 第19-21页 |
| ·Kaufman离子源的使用 | 第21-24页 |
| ·工作程序 | 第21-22页 |
| ·工作参数的选择 | 第22-24页 |
| ·Kaufman离子源的故障 | 第24-25页 |
| ·起弧困难或电弧不稳定 | 第24页 |
| ·绝缘 | 第24页 |
| ·离子光学系统频繁放电 | 第24页 |
| ·屏蔽 | 第24-25页 |
| 3 离子束辅助沉积技术(IAD) | 第25-31页 |
| ·离子束辅助沉积镀膜 | 第25-27页 |
| ·离子束辅助沉积改善薄膜性能情况 | 第27页 |
| ·工艺与操作 | 第27-28页 |
| ·离子束清洗技术 | 第28-29页 |
| ·离子束辅助沉积技术 | 第29页 |
| ·离子束后处理技术 | 第29-31页 |
| 4 离子束辅助沉积工艺镀制高性能红外增透膜 | 第31-60页 |
| ·红外光学系统中的薄膜技术 | 第31-33页 |
| ·红外膜系设计与红外薄膜材料选择 | 第33-41页 |
| ·红外薄膜制备工艺 | 第41-45页 |
| ·试验内容和测试结果 | 第45-49页 |
| ·制备工艺因素分析 | 第49-60页 |
| ·薄膜厚度的监控 | 第49-54页 |
| ·基片清洁 | 第54-56页 |
| ·基板温度、淀积速率和真空度是三个非常重要的制备参数 | 第56-57页 |
| ·膜层厚度的均匀性及改善均匀性的措施 | 第57-60页 |
| 5 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |