TlBr培养料与籽晶的制备研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·室温半导体核辐射探测器材料及其研究现状 | 第9-13页 |
| ·TlBr 单晶体的制备 | 第13-16页 |
| ·温差水热生长用培养料与籽晶的制备 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 2 熔体生长的原理分析 | 第20-27页 |
| ·晶体生长的驱动力 | 第20-22页 |
| ·杂质(溶质)分凝 | 第22-24页 |
| ·晶体生长中的热传输及界面稳定性 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 TlBr 培养料制备及熔融法单晶生长 | 第27-40页 |
| ·熔融冷却法制备TlBr 培养料 | 第27-28页 |
| ·单晶生长设备及温场设计 | 第28-36页 |
| ·TlBr 单晶生长工艺 | 第36-37页 |
| ·TlBr 单晶生长实验结果 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 TlBr 单晶质量表征与分析 | 第40-53页 |
| ·TlBr 晶锭切割及晶片后续处理 | 第40-42页 |
| ·TlBr 单晶完整性研究 | 第42-48页 |
| ·TlBr 单晶红外吸收光谱分析 | 第48-51页 |
| ·TlBr 单晶能带测量 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 TlBr 籽晶的选择与后续处理 | 第53-56页 |
| ·TlBr 籽晶的选择 | 第53-54页 |
| ·TlBr 籽晶的后续处理 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 6 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |