| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 1 引言 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景及研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 论文的主要工作及创新点 | 第16页 |
| 1.3 论文的组成及内容提要 | 第16-19页 |
| 2 文献综述 | 第19-29页 |
| 2.1 半导体材料 | 第19-22页 |
| 2.1.1 半导体材料的发展历史 | 第19-21页 |
| 2.1.2 半导体材料的分类 | 第21-22页 |
| 2.2 硅衬底GaN基LED的研究 | 第22-24页 |
| 2.2.1 硅衬底GaN基LED的研究进展及主要成果 | 第22-23页 |
| 2.2.2 硅衬底GaN基LED的局限性 | 第23-24页 |
| 2.3 稀土氧化物半导体Eu_2O_3 | 第24-29页 |
| 2.3.1 稀土氧化物材料特性 | 第24-25页 |
| 2.3.2 稀土离子Eu~(3+)的发光特性及其Eu~(3+)掺杂的发光体系研究进展 | 第25-26页 |
| 2.3.3 Eu_2O_3发光研究进展 | 第26-27页 |
| 2.3.4 Eu_2O_3能带结构 | 第27-29页 |
| 3 样品的制备方法及表征手段 | 第29-37页 |
| 3.1 样品的制备设备 | 第29-31页 |
| 3.1.1 磁控溅射设备 | 第29-30页 |
| 3.1.2 热处理设备 | 第30-31页 |
| 3.2 样品的制备 | 第31-33页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第32页 |
| 3.2.2 薄膜制备 | 第32页 |
| 3.2.3 电极制备 | 第32-33页 |
| 3.3 样品的表征及性能分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 样品的膜厚测量 | 第33页 |
| 3.3.2 样品的物相分析 | 第33-34页 |
| 3.3.3 样品的吸收特性分析 | 第34页 |
| 3.3.4 样品的光电子能谱分析 | 第34-35页 |
| 3.3.5 样品的光致发光光谱分析 | 第35页 |
| 3.3.6 样品的电致发光测试分析 | 第35-36页 |
| 3.3.7 色坐标CIE指数 | 第36-37页 |
| 4 Eu_2O_3薄膜的制备及发光特性的研究 | 第37-57页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 薄膜沉积法制备Eu203 | 第37-40页 |
| 4.2.1 Eu_2O_3薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.2 Eu_2O_3薄膜的表征 | 第38-40页 |
| 4.3 Eu_2O_3薄膜光致发光特性的研究 | 第40-44页 |
| 4.3.1 薄膜厚度对光致发光性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 退火气氛对光致发光性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 退火温度对光致发光性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.4 硅基Eu_2O_3电致发光器件的制备及性能研究 | 第44-49页 |
| 4.4.1 Eu_2O_3电致发光器件的制备 | 第44页 |
| 4.4.2 Eu_2O_3电致发光器件的表征 | 第44-48页 |
| 4.4.3 Eu_2O_3电致发光机理的研究 | 第48-49页 |
| 4.5 硅基Eu_2O_3电致发光器件性能的改善 | 第49-54页 |
| 4.5.1 薄膜厚度对器件性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.5.2 退火温度对器件性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.5.3 退火气流量对器件电致发光的影响 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-57页 |
| 5 双层结构Eu_2O_3/Tb_2O_3电致发光器件的制备及机理研究 | 第57-69页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致发光器件的制备 | 第57-58页 |
| 5.3 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致发光器件的表征 | 第58-59页 |
| 5.4 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致发光器件的机理研究 | 第59-63页 |
| 5.4.1 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致器件与单层Eu_2O_3器件的比较 | 第59-62页 |
| 5.4.2 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致器件的发光机理 | 第62-63页 |
| 5.5 Eu_2O_3/Tb_2O_3电致器件性能的改善 | 第63-68页 |
| 5.5.1 Tb_2O_3薄膜厚度对器件性能的影响 | 第63-65页 |
| 5.5.2 退火温度对器件性能的影响 | 第65-66页 |
| 5.5.3 退火气流量对器件性能的影响 | 第66-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 6 共溅射法Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的制备及发光机理研究 | 第69-81页 |
| 6.1 引言 | 第69-70页 |
| 6.2 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的制备及研究 | 第70-71页 |
| 6.2.1 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的制备 | 第70-71页 |
| 6.2.2 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的表征 | 第71页 |
| 6.3 施加正压下Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的研究 | 第71-75页 |
| 6.3.1 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致器件的发光和电学性能 | 第72-74页 |
| 6.3.2 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致器件的发光机理 | 第74页 |
| 6.3.3 衬底类型对器件性能的影响 | 第74-75页 |
| 6.4 施加反压下Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的研究 | 第75-79页 |
| 6.4.1 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致器件的发光和电学性能 | 第75-77页 |
| 6.4.2 Eu_2O_3:Tb~(3+)电致器件的发光机理 | 第77-78页 |
| 6.4.3 衬底类型对器件性能的影响 | 第78-79页 |
| 6.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 7 共溅射法Eu_2O_3:Tb~(3+)电致发光器件的优化 | 第81-111页 |
| 7.1 不同价态的金属离子掺杂对器件性能的影响 | 第81-89页 |
| 7.1.1 掺杂W~(6+)离子对器件性能的影响 | 第82-85页 |
| 7.1.2 掺杂In~(3+)离子对器件性能的影响 | 第85-87页 |
| 7.1.3 掺杂Ca~(2+)离子对器件性能的影响 | 第87-89页 |
| 7.2 器件结构对电致发光的影响 | 第89-97页 |
| 7.2.1 增加NiO层对器件性能的影响 | 第90-92页 |
| 7.2.2 增加Y_2O_3层对器件性能的影响 | 第92-94页 |
| 7.2.3 增加Ga_2O_3层对器件性能的影响 | 第94-97页 |
| 7.3 退火条件对电致器件性能的改善 | 第97-103页 |
| 7.3.1 退火气氛对器件性能的影响 | 第97-99页 |
| 7.3.2 退火温度对器件性能的影响 | 第99-100页 |
| 7.3.3 退火时间对器件性能的影响 | 第100-103页 |
| 7.4 Eu~(3+)及Tb~(3+)浓度对电致发光的影响 | 第103-109页 |
| 7.4.1 发光层薄膜厚度对器件性能的影响 | 第103-105页 |
| 7.4.2 Tb~(3+)离子掺杂浓度对器件性能的影响 | 第105-109页 |
| 7.5 本章小结 | 第109-111页 |
| 8 结论及展望 | 第111-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第125-129页 |
| 学位论文数据集 | 第129页 |
