| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·立题背景及课题研究意义 | 第10-18页 |
| ·功率半导体器件发展概况 | 第10-12页 |
| ·快速软恢复二极管研究意义 | 第12-13页 |
| ·几种提高二极管快恢复软恢复特性方法及比较 | 第13-18页 |
| ·Si基SiGe、SiGeC技术发展概况 | 第18-22页 |
| ·SiGe技术 | 第19-20页 |
| ·SiGeC技术 | 第20-22页 |
| ·课题来源及论文主要内容 | 第22-25页 |
| 2 SiGeC材料物理模型参数 | 第25-39页 |
| ·Si基应变材料的类型 | 第25-29页 |
| ·SiGeC材料的晶格常数 | 第29-30页 |
| ·SiGeC材料的能带结构 | 第30-33页 |
| ·SiGeC材料载流子迁移率 | 第33-34页 |
| ·SiGeC本征载流子浓度和态密度模型 | 第34-36页 |
| ·能带窄化模型 | 第36页 |
| ·载流子的复合与寿命 | 第36-37页 |
| ·介电常数模型 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 3 SiGeC/Si异质结功率二极管电流输运机理与特性研究 | 第39-68页 |
| ·SiGeC/Si异质结功率二极管器件结构 | 第39-46页 |
| ·功率二极管主要性能参数 | 第39-43页 |
| ·SiGeC/Si异质结功率二极管结构特点 | 第43-46页 |
| ·SiGeC/Si异质结功率二极管电流输运机理 | 第46-57页 |
| ·Anderson定则及有关争议 | 第46-48页 |
| ·SiGeC/Si异质结能带结构分析 | 第48-53页 |
| ·SiGeC/Si异质结电流输运机理 | 第53-57页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管特性分析 | 第57-65页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管通态特性 | 第57-60页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管反向阻断特性 | 第60-62页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管反向恢复特性 | 第62-63页 |
| ·SiGeC/Si异质结技术与寿命控制技术对比 | 第63-65页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管Ge/C含量优化设计 | 第65-67页 |
| ·Ge/C含量对器件正向通态特性的影响 | 第65-66页 |
| ·Ge/C含量对器件反向恢复特性的影响 | 第66页 |
| ·Ge/C含量对器件反向阻断特性的影响 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 4 SiGeC/Si异质结二极管温度特性研究 | 第68-77页 |
| ·SiGeC/Si异质结的热稳定性 | 第68-71页 |
| ·SiGeC合金中C的晶格位置 | 第68-69页 |
| ·C对SiGe合金热稳定性的提高 | 第69-70页 |
| ·SiGeC合金热稳定性的基本特点 | 第70-71页 |
| ·SiGeC材料的温度模型 | 第71-72页 |
| ·能带模型 | 第71页 |
| ·迁移率模型 | 第71-72页 |
| ·SiGeC/Si与SiGe/Si两种异质结二极管温度特性对比 | 第72-76页 |
| ·反向阻断特性对比分析 | 第72-74页 |
| ·正向通态特性对比分析 | 第74页 |
| ·反向恢复特性对比分析 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 5 理想欧姆接触SiGeC/Si异质结二极管机理研究 | 第77-99页 |
| ·理想欧姆接触SiGeC/Si异质结二极管结构特点与工作机理 | 第77-78页 |
| ·理想欧姆接触SiGeC/Si二极管击穿机理 | 第78-86页 |
| ·结的击穿类型 | 第78-81页 |
| ·反向偏置SiGeC/Si异质结机理分析 | 第81-84页 |
| ·理想欧姆接触SiGeC/Si二极管击穿机理 | 第84-86页 |
| ·理想欧姆接触SiGeC/Si二极管特性分析 | 第86-94页 |
| ·反向恢复特性 | 第86-88页 |
| ·正向通态特性 | 第88-89页 |
| ·反向阻断特性 | 第89-91页 |
| ·反向阻断特性设计考虑 | 第91-94页 |
| ·理想欧姆接触SiGeC/Si二极管优化设计考虑 | 第94-98页 |
| ·p~+区宽度对器件特性的影响 | 第95-96页 |
| ·p~+区厚度对器件特性的影响 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 6 基区渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si异质结二极管研究 | 第99-118页 |
| ·普通理想欧姆接触二极管存在问题与新结构的提出 | 第99-101页 |
| ·普通理想欧姆结构的弊端 | 第99-100页 |
| ·基区渐变掺杂理想欧姆结构的提出 | 第100-101页 |
| ·基区渐变掺杂理想欧姆接触二极管结构特点与工作机理分析 | 第101-104页 |
| ·结构特点 | 第101-102页 |
| ·工作机理分析 | 第102-104页 |
| ·基区渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC二极管特性分析 | 第104-110页 |
| ·反向阻断特性 | 第104-107页 |
| ·正向通态特性 | 第107-108页 |
| ·反向恢复特性 | 第108-110页 |
| ·基区渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC二极管优化设计 | 第110-117页 |
| ·两层基区渐变掺杂二极管 | 第111-112页 |
| ·四层基区渐变掺杂二极管 | 第112-114页 |
| ·五层基区渐变掺杂二极管 | 第114-115页 |
| ·新结构二极管渐变层数设计考虑 | 第115-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| 7 SiGeC/Si异质结二极管工艺技术研究与实验验证 | 第118-132页 |
| ·SiGeC外延层工艺方案设计 | 第118-123页 |
| ·SiGeC外延层制备方法 | 第118-120页 |
| ·SiGeC工艺参数 | 第120-121页 |
| ·SiGeC外延生长及结果分析 | 第121-123页 |
| ·SiGeC/Si异质结二极管工艺方案设计与工艺模拟 | 第123-127页 |
| ·工艺方案设计 | 第123页 |
| ·工艺模拟 | 第123-126页 |
| ·新结构二极管关键结构参数设计与单步工艺模拟 | 第126-127页 |
| ·实验验证 | 第127-131页 |
| ·样品工艺方案 | 第127-129页 |
| ·实验结果分析 | 第129-131页 |
| ·本章小结 | 第131-132页 |
| 8 结束语 | 第132-135页 |
| ·主要结论 | 第132-133页 |
| ·论文创新点 | 第133-134页 |
| ·今后研究工作设想 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-152页 |
| 在校学习期间发表的论文 | 第152-153页 |
