GaN基绿光与白光LED器件外延研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第9-11页 |
| ·本文研究重点与安排 | 第11-12页 |
| 2 材料特性、生长及器件基本原理 | 第12-22页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料基本性质 | 第12-15页 |
| ·晶体结构及材料特性 | 第12-13页 |
| ·Ⅲ族氮化物能带结构 | 第13-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的外延生长技术 | 第15-19页 |
| ·半导体外延技术简介 | 第15-16页 |
| ·氢化物气相外延 | 第16-17页 |
| ·分子束外延 | 第17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第17-19页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED结构与原理 | 第19-22页 |
| 3 MOCVD以及实验测试方法 | 第22-35页 |
| ·MOCVD概述 | 第22-28页 |
| ·MOCVD技术优点与用途 | 第22-23页 |
| ·MOCVD设备及系统 | 第23-25页 |
| ·MOCVD工作及反应原理 | 第25-28页 |
| ·GaN系材料MOCVD生长 | 第28-31页 |
| ·GaN基材料所用衬底 | 第28-29页 |
| ·反应源材料 | 第29-30页 |
| ·生长中的影响因素 | 第30-31页 |
| ·GaN的MOCVD生长工艺 | 第31页 |
| ·GaN基发光材料及器件实验测试设备及方法 | 第31-35页 |
| ·电致荧光谱与光致荧光谱 | 第31-33页 |
| ·X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| ·形貌与结构显微分析 | 第34-35页 |
| 4 GaN基绿光LED提高发光性能的研究 | 第35-50页 |
| ·影响发光效率提高的因素 | 第35-40页 |
| ·极化效应 | 第35-37页 |
| ·极化效应导致的影响发光效率的因素 | 第37-40页 |
| ·GaN基绿光LED外延生长及结构改进 | 第40-44页 |
| ·实验过程 | 第40-42页 |
| ·实验结果与分析 | 第42-44页 |
| ·对绿光LED掺杂的优化 | 第44-46页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·实验结果与分析 | 第45-46页 |
| ·In组分渐变量子阱实验研究 | 第46-50页 |
| ·实验过程 | 第46-47页 |
| ·实验结果与分析 | 第47-50页 |
| 5 无需荧光分转换的GaN基单芯片白光LED | 第50-63页 |
| ·白光发光LED | 第50-55页 |
| ·荧光粉转换型白光发光LED | 第50-51页 |
| ·无需荧光粉转换类型的白光LED | 第51-55页 |
| ·基于n型InGaN层的白光发光二极管实验过程 | 第55-56页 |
| ·实验结果和分析 | 第56-59页 |
| ·无需荧光粉单芯片白光LED的EL结果 | 第56-57页 |
| ·透射电子显微镜TEM测量结果 | 第57-58页 |
| ·光致荧光谱测量分析 | 第58-59页 |
| ·GaN基单芯片白光LED的发光机制研究 | 第59-63页 |
| ·InGaN合金中In组分的相分离 | 第59页 |
| ·单芯片白光LED中n型InGaN层的作用分析 | 第59-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70页 |
