中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-25页 |
·引言 | 第10页 |
·半导体光催化领域研究概述 | 第10-16页 |
·半导体光催化作用的基本原理 | 第10-12页 |
·提高半导体光催化活性的途径 | 第12-14页 |
·催化剂的表现修饰与改性 | 第12-14页 |
·复合半导体 | 第14页 |
·半导体表面光敏化 | 第14页 |
·光催化技术应用 | 第14-16页 |
·光催化制氢 | 第14-15页 |
·有机物降解 | 第15页 |
·无机物降解 | 第15-16页 |
·光催化抗菌领域 | 第16页 |
·半导体光催化剂的制备方法 | 第16-19页 |
·溶胶-凝胶法 | 第16-18页 |
·溶胶-凝胶法的基本原理 | 第16-17页 |
·溶胶-凝胶法在材料制备中的应用 | 第17-18页 |
·水热或溶剂热法 | 第18页 |
·其它合成方法 | 第18-19页 |
·铋系光催化剂研究进展 | 第19-21页 |
·铋氧化物光催化剂 | 第19页 |
·钛酸铋系光催化剂 | 第19-20页 |
·复合型铋系催化剂 | 第20页 |
·卤氧化铋催化剂 | 第20-21页 |
·卤化银半导体材料的研究背景及进展 | 第21-22页 |
·关于反应活性物种 | 第22-24页 |
·羟基自由基 | 第22页 |
·价带空穴 | 第22-23页 |
·超氧自由基和过氧化氢 | 第23-24页 |
·本文的研究目的、内容及意义 | 第24-25页 |
第2章 Ag/AgCl/BiMg_2VO_6复合光催化剂的制备及其表征 | 第25-42页 |
·实验部分 | 第25-32页 |
·实验试剂及仪器 | 第25-26页 |
·Ag/AgCl/BiMg_2VO_6复合光催化剂的制备 | 第26-28页 |
·分析方法及表征 | 第28-32页 |
·X射线衍射(XRD)分析 | 第28-29页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
·透射电子显微镜(TEM)和高分辨率透射电镜(HRTEM) | 第30页 |
·X射线能量分散谱(EDS) | 第30-31页 |
·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31页 |
·紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS) | 第31-32页 |
·光催化的表征结果分析 | 第32-41页 |
·XRD结果分析 | 第32-33页 |
·SEM结果分析 | 第33-34页 |
·TEM和HRTEM结果分析 | 第34-35页 |
·EDS结果分析 | 第35-36页 |
·XPS结果分析 | 第36-39页 |
·UV-vis DRS结果分析 | 第39-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
第3章 Ag/AgCl/BiMg_2VO_6复合光催化剂的光催化性能研究 | 第42-57页 |
·实验部分 | 第42-43页 |
·实验试剂及仪器 | 第42-43页 |
·光催化降解实验 | 第43页 |
·光催化降解实验结果与讨论 | 第43-55页 |
·有机污染物的性质 | 第43-44页 |
·酸性红G溶液最大吸收波长的确定 | 第44-45页 |
·酸性红G溶液标准曲线的绘制 | 第45-46页 |
·光催化剂活性评价 | 第46-55页 |
·催化反应条件实验 | 第46-47页 |
·染料初始浓度对光催化剂降解效果的影响 | 第47-48页 |
·催化剂投加量对光催化剂降解效果的影响 | 第48-49页 |
·不同焙烧温度对光催化剂降解效果的影响 | 第49-50页 |
·不同焙烧时间对光催化剂降解效果的影响 | 第50-51页 |
·不同光还原时间对光催化剂催化活性的影响 | 第51-53页 |
·Ag/AgCl最佳负载量的研究 | 第53-54页 |
·循环实验 | 第54-55页 |
·小结 | 第55-57页 |
第4章 Ag/AgCl/BiMg_2VO_6复合光催化剂的光催化反应机理初探 | 第57-67页 |
·实验部分 | 第57-60页 |
·实验试剂及仪器 | 第57-58页 |
·紫外-可见光谱扫描 | 第58页 |
·羟基自由基的测定 | 第58-59页 |
·活性自由基的抑制实验 | 第59-60页 |
·氧气对光催化反应的影响测定 | 第60页 |
·实验结果与讨论 | 第60-66页 |
·紫外-可见光谱扫描分析 | 第60-61页 |
·羟基自由基测定结果分析 | 第61-62页 |
·活性自由基抑制实验结果分析 | 第62-63页 |
·氧气对光催化反应的影响结果分析 | 第63-64页 |
·光催化反应机理研究 | 第64-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
第5章 结论与展望 | 第67-69页 |
·结论 | 第67-68页 |
·展望 | 第68-69页 |
致谢(一) | 第69-70页 |
致谢(二) | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-80页 |
附录 | 第80页 |