| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-36页 |
| ·概述 | 第8-10页 |
| ·纳米材料的概念 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的分类 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第10-17页 |
| ·小尺寸效应 | 第10页 |
| ·量子限域效应 | 第10-15页 |
| ·表面效应 | 第15-16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16-17页 |
| ·半导体纳米材料 | 第17-28页 |
| ·半导体量子点的定义 | 第17-20页 |
| ·量子点的合成 | 第20-26页 |
| ·量子点的修饰 | 第26-28页 |
| ·量子点的应用 | 第28-33页 |
| ·医用领域 | 第28-31页 |
| ·发光二极管 | 第31-33页 |
| ·论文的设计思想 | 第33-36页 |
| 第二章 两相体系中观测CdSe量子点的成核与生长动力学过程 | 第36-58页 |
| ·引言 | 第36-38页 |
| ·实验部分 | 第38-41页 |
| ·原料和前驱体的制备 | 第38页 |
| ·CdSe量子点的合成 | 第38-40页 |
| ·CdSe量子点的表征 | 第40-41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-58页 |
| ·反应温度和反应时间的影响 | 第41-43页 |
| ·配体浓度的影响 | 第43-44页 |
| ·前体浓度的影响 | 第44-46页 |
| ·前体种类的影响 | 第46-49页 |
| ·溶剂极性的影响 | 第49-51页 |
| ·镉前体与硒前体比例的影响 | 第51-58页 |
| 第三章 低温合成CdSe/CdS核-壳结构量子点 | 第58-76页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验部分 | 第59-61页 |
| ·原料和前驱体的制备 | 第59-60页 |
| ·CdSe量子点的合成 | 第60页 |
| ·CdSe/CdS核-壳结构量子点的合成 | 第60页 |
| ·量子点的表征 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-75页 |
| ·CdSe量子点和CdSe/CdS核-壳结构量子点的性能 | 第61-68页 |
| ·CdSe核对荧光量子效率的影响 | 第68-69页 |
| ·CdS壳层对荧光量子效率的影响 | 第69-70页 |
| ·CdSe核对荧光寿命的影响 | 第70-73页 |
| ·CdS壳层对荧光寿命的影响 | 第73-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第四章 CdSe/CdS/SiO_2复合纳米球的制备及发光性能 | 第76-94页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77-79页 |
| ·原料与前驱体的制备 | 第77页 |
| ·CdSe/CdS核-壳结构量子点的合成 | 第77-78页 |
| ·CdSe/CdS/SiO_2纳米球的制备 | 第78页 |
| ·样品表征 | 第78-79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-93页 |
| ·量子点的性质 | 第79-80页 |
| ·CdSe/CdS/SiO_2纳米球的制备及发光性能 | 第80-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 第五章 CdTe/SiO_2复合纳米球的制备及发光性能 | 第94-106页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·实验部分 | 第95-97页 |
| ·实验试剂 | 第95-96页 |
| ·CdTe水溶性量子点的制备 | 第96页 |
| ·CdTe/SiO_2纳米球的制备 | 第96页 |
| ·样品表征 | 第96-97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-105页 |
| ·CdTe量子点的表征 | 第97页 |
| ·CdTe/SiO_2纳米球的表征 | 第97-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| 结论 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-126页 |
| 作者简历 | 第126页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第126-127页 |
| 发明专利 | 第127-128页 |
| 参加国际国内会议情况 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 中文摘要 | 第131-134页 |
| Abstract | 第134-136页 |
