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低维半导体材料若干性能的尺寸和界面效应

提要第1-8页
第一章 绪论第8-24页
   ·纳米材料的概念第8-11页
   ·纳米材料的尺寸效应第11-12页
   ·纳米材料熔化热力学理论第12-17页
   ·纳米半导体材料第17-20页
     ·纳米半导体材料的发光性能第17-19页
     ·纳米半导体的蓝移现象第19-20页
     ·纳米半导体的晶格收缩第20页
   ·半导体非晶薄膜的晶化第20-21页
   ·外延生长薄膜第21-22页
   ·研究内容第22-24页
第二章 半导体纳米晶体能隙的尺寸效应第24-38页
   ·引言第24-25页
   ·模型第25-27页
   ·结果与讨论第27-35页
   ·小结第35-38页
第三章 低维半导体介电常数的尺寸与界面效应第38-54页
   ·半导体纳米晶体介电常数的尺寸与界面效应第38-49页
     ·引言第38-39页
     ·模型第39-41页
     ·结果和讨论第41-48页
     ·小结第48-49页
   ·尺寸及成分对半导体固溶体介电常数的影响第49-54页
     ·理论模型第49页
     ·结果与讨论第49-53页
     ·小结第53-54页
第四章 半导体体等离子能的尺寸效应第54-60页
   ·引言第54页
   ·模型第54-56页
   ·结果与讨论第56-59页
   ·小结第59-60页
第五章 半导体非晶薄膜晶化速度的尺寸效应第60-68页
   ·引言第60页
   ·模型第60-64页
   ·结果与讨论第64-66页
   ·小结第66-68页
第六章 半导体外延生长薄膜应变层的临界厚度第68-74页
   ·引言第68页
   ·模型第68-70页
   ·结果与讨论第70-72页
   ·小结第72-74页
第七章 主要结论第74-76页
参考文献第76-97页
发表和待发表的学术论文第97-98页
致谢第98-99页
摘要第99-102页
Abstract第102-105页

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