| 内容提要 | 第1-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-55页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·薄膜的生长 | 第10-13页 |
| ·薄膜的生长模式 | 第10-12页 |
| ·薄膜的外延生长 | 第12-13页 |
| ·薄膜生长中的能量粒子轰击 | 第13-17页 |
| ·能量粒子轰击薄膜产生的效应 | 第14-15页 |
| ·基于低能粒子轰击的浅植入模型 | 第15-17页 |
| ·薄膜的择优取向和相变 | 第17-20页 |
| ·薄膜的择优取向 | 第17-20页 |
| ·薄膜的相变 | 第20页 |
| ·薄膜中的应力 | 第20-30页 |
| ·单层多晶薄膜中的应力 | 第20-27页 |
| ·多层膜中界面应力的测量 | 第27-30页 |
| ·薄膜的硬度 | 第30-35页 |
| ·超硬纳米多层膜的体系 | 第32-33页 |
| ·超硬纳米多层膜强化理论 | 第33-35页 |
| ·过渡族金属氮化物 | 第35-39页 |
| ·过渡族金属氮化物的典型堆垛晶格 | 第35-36页 |
| ·过渡族金属氮化物的化学剂量比和非金属亚晶格的空位 | 第36-37页 |
| ·NbN薄膜的研究现状 | 第37-39页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-55页 |
| 第2章 沉积条件对NbN薄膜的微观结构和力学性能的影响 | 第55-106页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验 | 第56-58页 |
| ·实验条件 | 第56-57页 |
| ·表征方法 | 第57-58页 |
| ·氮气流量对NbN薄膜的择优取向、相结构和力学性能的影响 | 第58-74页 |
| ·实验结果 | 第58-66页 |
| ·讨论 | 第66-74页 |
| ·基片偏压对NbN薄膜的择优取向、相结构和力学性能的影响 | 第74-84页 |
| ·实验结果 | 第74-78页 |
| ·讨论 | 第78-84页 |
| ·溅射压强对NbN薄膜的择优取向、相结构和力学性能的影响 | 第84-88页 |
| ·薄膜厚度对立方δ-NbN薄膜微观结构的影响 | 第88-92页 |
| ·NbN薄膜的热稳定性 | 第92-96页 |
| ·本章小结 | 第96-99页 |
| 参考文献 | 第99-106页 |
| 第3章 沉积条件对 WNx薄膜的微观结构和力学性能的影响 | 第106-132页 |
| ·前言 | 第106-107页 |
| ·实验 | 第107-108页 |
| ·实验条件 | 第107页 |
| ·表征方法 | 第107-108页 |
| ·结果 | 第108-120页 |
| ·沉积率和成分 | 第108-110页 |
| ·化学键 | 第110-113页 |
| ·显微结构 (XRD和HRTEM) | 第113-118页 |
| ·本征应力与硬度 | 第118-120页 |
| ·讨论 | 第120-125页 |
| ·成分和显微结构 | 第120-122页 |
| ·本征应力 | 第122-124页 |
| ·硬度 | 第124-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-132页 |
| 第4章 NbN基纳米多层膜的微观结构和力学性能研究 | 第132-167页 |
| ·前言 | 第132-133页 |
| ·实验 | 第133-134页 |
| ·实验条件 | 第133-134页 |
| ·表征方法 | 第134页 |
| ·δ-NbN/ WN_x 和 δ′-NbN/ W(N)纳米多层膜的微观结构和力学性能 | 第134-146页 |
| ·δ-NbN/WN_x纳米多层膜的微观结构和力学性能 | 第134-143页 |
| ·δ'-NbN/ W(N)纳米多层膜的微观结构和力学性能 | 第143-146页 |
| ·δ-NbN/SiN_x和δ'-NbN/SiN)_x纳米多层膜的结构和力学性能 | 第146-156页 |
| ·单层膜的结构 | 第146-147页 |
| ·多层膜的结构 | 第147-153页 |
| ·本征应力和硬度 | 第153-156页 |
| ·δ-NbN/AlN纳米多层膜的微观结构和力学性能 | 第156-162页 |
| ·不同调制周期对δ-NbN/AlN纳米多层膜的微观结构和力学性能的影响 | 第156-160页 |
| ·不同AlN层厚度对δ-NbN/AlN纳米多层膜的微观结构和力学性能影响 | 第160-162页 |
| ·本章小结 | 第162-164页 |
| 参考文献 | 第164-167页 |
| 第5章 本文总结 | 第167-170页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第170-172页 |
| 致谢 | 第172-173页 |
| 中文摘要 | 第173-176页 |
| Abstract | 第176-179页 |
