致谢 | 第5-7页 |
摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第14-35页 |
1.1 引言 | 第14-16页 |
1.2 CdTe薄膜太阳电池研究进展 | 第16-26页 |
1.2.1 CdTe的材料属性 | 第16-18页 |
1.2.2 CdTe薄膜太阳电池的器件结构 | 第18-21页 |
1.2.2.1 CdTe单晶太阳电池器件 | 第18-19页 |
1.2.2.2 CdTe多晶太阳电池器件 | 第19-21页 |
1.2.3 CdTe薄膜太阳电池的基本原理 | 第21-26页 |
1.3 CdTe薄膜太阳电池面临的挑战 | 第26-30页 |
1.3.1 电池背电极势垒的限制 | 第26-28页 |
1.3.2 CdTe载流子浓度及少子寿命的限制 | 第28-30页 |
1.4 电池背电极欧姆接触制备的若干解决方案 | 第30-33页 |
1.5 论文的选题思路和主要研究内容 | 第33-35页 |
第二章 CdTe薄膜太阳电池相关制备工艺 | 第35-57页 |
2.1 引言 | 第35页 |
2.2 透明导电层和高阻层的制备 | 第35-37页 |
2.3 CdS窗口层的制备 | 第37-41页 |
2.4 CdTe吸收层的制备 | 第41-45页 |
2.5 CdTe薄膜的后续处理过程 | 第45-50页 |
2.5.1 CdTe薄膜的CdCl_2处理工艺 | 第45-48页 |
2.5.2 CdTe薄膜的硝酸-磷酸化学刻蚀 | 第48-50页 |
2.6 CdTe薄膜的缓冲层和金属背电极层沉积及退火工艺 | 第50-52页 |
2.7 CdTe太阳电池的激光划线与组件集成互联 | 第52-55页 |
2.8 本章小结 | 第55-57页 |
第三章 SnTe薄膜的制备及其性质的研究 | 第57-66页 |
3.1 引言 | 第57页 |
3.2 SnTe的合成 | 第57-58页 |
3.3 SnTe薄膜的制备与物理特性表征 | 第58-65页 |
3.3.1 薄膜制备 | 第58-61页 |
3.3.2 性能表征 | 第61-65页 |
3.3.2.1 XRD分析 | 第61-62页 |
3.3.2.2 SEM以及EDX分析 | 第62-63页 |
3.3.2.3 Hall分析 | 第63-65页 |
3.4 本章小结 | 第65-66页 |
第四章 含SnTe背接触缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 | 第66-75页 |
4.1 引言 | 第66页 |
4.2 电池制备工艺与背电极能带结构 | 第66-70页 |
4.2.1 电池制备工艺 | 第66-69页 |
4.2.2 背电极能带结构 | 第69-70页 |
4.3 电池性能表征 | 第70-74页 |
4.3.1 SnTe薄膜在CdTe吸收层的成膜质量分析 | 第70页 |
4.3.2 暗场和光场J-V特性曲线测试及分析 | 第70-74页 |
4.4 本章小结 | 第74-75页 |
第五章 含ZnTe:Cu/SnTe复合背接触缓冲层的CdTe薄膜太阳电池 | 第75-83页 |
5.1 引言 | 第75页 |
5.2 ZnTe薄膜的制备与性能表征 | 第75-77页 |
5.3 电池制备工艺与背电极能带结构 | 第77-78页 |
5.3.1 电池制备工艺 | 第77-78页 |
5.3.2 背电极能带结构图 | 第78页 |
5.4 电池性能表征 | 第78-82页 |
5.4.1 ZnTe薄膜在CdTe薄膜电池中的性能表征 | 第78-80页 |
5.4.2 暗场和光场J-V特性曲线测试及性能分析 | 第80-82页 |
5.5 本章小结 | 第82-83页 |
第六章 C-V法表征CdTe薄膜太阳电池中杂质浓度的分布特性 | 第83-90页 |
6.1 引言 | 第83页 |
6.2 基本原理和分析模型 | 第83-86页 |
6.2.1 基本原理 | 第83-84页 |
6.2.2 分析模型 | 第84-86页 |
6.3 数据测量与计算分析 | 第86-89页 |
6.3.1 载流子浓度 | 第86-87页 |
6.3.2 Sn在器件中的扩散 | 第87-89页 |
6.4 本章小结 | 第89-90页 |
第七章 研究工作总结与展望 | 第90-93页 |
7.1 研究工作总结 | 第90-91页 |
7.2 今后工作展望 | 第91-93页 |
参考文献 | 第93-97页 |
硕士期间的研究成果 | 第97-98页 |