| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 TiO_2纳米材料简介 | 第10-15页 |
| 1.2.1 TiO_2的结构及性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2 TiO_2纳米材料的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.2.3 TiO_2纳米材料的应用前景 | 第14-15页 |
| 1.3 TiO_2纳米材料面临的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 TiO_2纳米材料的解决方案 | 第16页 |
| 1.5 选定Mn掺杂TiO_2纳米材料的依据 | 第16-18页 |
| 1.6 论文的主要内容及章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 实验原料及制备、测试表征方法 | 第20-28页 |
| 2.1 实验中所用的主要原料 | 第20页 |
| 2.2 实验中所用的仪器/设备 | 第20-21页 |
| 2.3 薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
| 2.3.1 磁控溅射法的实验原理 | 第21页 |
| 2.3.2 实验用磁控溅射沉积系统介绍 | 第21-22页 |
| 2.3.3 实验用JGP-400型磁控溅射系统工艺流程 | 第22-23页 |
| 2.4 实验设计方案 | 第23-24页 |
| 2.5 实验中的测试与表征方法 | 第24-25页 |
| 2.6 实验中的测试与表征方法实物图 | 第25-28页 |
| 第三章 MTO纳米薄膜的制备工艺对薄膜结构和性能的影响研究 | 第28-39页 |
| 3.1 溅射功率对薄膜制备的影响 | 第28-29页 |
| 3.2 溅射时间对薄膜制备的影响 | 第29-31页 |
| 3.3 衬底温度对薄膜制备的影响 | 第31-33页 |
| 3.4 Ar/O_2束流比对薄膜制备的影响 | 第33-36页 |
| 3.5 快速退火处理对薄膜结构和性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 MTO纳米薄膜的制备工艺优化及性能改善研究 | 第39-59页 |
| 4.1 Ar/O_2束流比减小对薄膜结构和光电性能的影响 | 第39-42页 |
| 4.2 Ar/O_2束流比增大对薄膜结构和光电性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.3 溅射功率减小对薄膜结构和光电性能的影响 | 第45-49页 |
| 4.4 溅射功率增大对薄膜结构和光电性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.5 工作压强减小对薄膜结构和光电性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.6 工作压强增大对薄膜结构和光电性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.7 衬底温度对薄膜结构和光电性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.8 快速退火处理对不同功率制备的MTO薄膜结构和光电性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.9 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 全文总结及未来展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59页 |
| 5.2 未来展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
