| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 VCSEL基本概念及其结构 | 第10-11页 |
| 1.2 高速VCSEL研究进展概述 | 第11-17页 |
| 1.2.1 高速VCSEL研究背景 | 第11-15页 |
| 1.2.2 高速VCSEL研究状况 | 第15-17页 |
| 1.2.3 高速VCSEL研究壁垒及未来发展方向 | 第17页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 高速VCSEL相关理论基础 | 第18-30页 |
| 2.1 VCSEL基本工作原理 | 第18-21页 |
| 2.2 高速VCSEL基本理论 | 第21-27页 |
| 2.2.1 高速VCSEL速率方程 | 第21-24页 |
| 2.2.2 高速VCSEL内部限制因素 | 第24-25页 |
| 2.2.3 高速VCSEL外部限制因素 | 第25-27页 |
| 2.3 高速VCSEL外延结构 | 第27-28页 |
| 2.3.1 有源区结构 | 第27页 |
| 2.3.2 单、双氧化层对于寄生电容的影响 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第3章 高速VCSEL阵列制备及关键工艺研究 | 第30-58页 |
| 3.1 高速VCSEL阵列制备工艺流程 | 第30-32页 |
| 3.2 高速VCSEL湿法氧化工艺 | 第32-44页 |
| 3.2.1 湿法氧化基本原理及工艺介绍 | 第33-36页 |
| 3.2.2 湿法氧化变温及变气流实验及分析 | 第36-41页 |
| 3.2.3 湿法氧化孔形状变化实验及分析 | 第41-42页 |
| 3.2.4 湿法氧化工艺均匀性问题 | 第42-43页 |
| 3.2.5 湿法氧化工艺中的异常问题 | 第43-44页 |
| 3.3 高速VCSEL刻蚀工艺 | 第44-49页 |
| 3.3.1 干法刻蚀基本原理及工艺介绍 | 第44-46页 |
| 3.3.2 台面刻蚀倾角及刻蚀速率实验 | 第46-48页 |
| 3.3.3 台面刻蚀粗糙度实验 | 第48-49页 |
| 3.4 高速VCSEL金属工艺 | 第49-54页 |
| 3.4.1 VCSEL金属工艺介绍及欧姆接触原理 | 第49-51页 |
| 3.4.2 VCSELN型欧姆接触圆点形传输线模型测试电阻率实验 | 第51-54页 |
| 3.5 高速VCSEL苯并环丁烯平坦化工艺实验 | 第54-57页 |
| 3.5.1 BCB特性介绍及工艺简介 | 第54-55页 |
| 3.5.2 不同材料掩膜下BCB刻蚀工艺 | 第55-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 高速VCSEL阵列相关特性分析 | 第58-66页 |
| 4.1 高速VCSEL阵列静态特性分析 | 第58-60页 |
| 4.1.1 高速VCSELP-I-V及光谱特性分析 | 第58-60页 |
| 4.1.2 高速VCSEL远场特性分析 | 第60页 |
| 4.2 高速VCSEL动态特性分析 | 第60-65页 |
| 4.2.1 小信号调制带宽测试 | 第60-62页 |
| 4.2.2 大信号脉冲眼图测试 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |