| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 传统闪存(Flash)存储器 | 第7-8页 |
| 1.3 新型非易失性存储器 | 第8-12页 |
| 1.4 阻变存储器的研究进展 | 第12-19页 |
| 1.5 CuO的基本特性 | 第19-20页 |
| 1.6 氧化铜薄膜电阻开关器件研究现状 | 第20-21页 |
| 1.7 选题意义和主要内容 | 第21-23页 |
| 2 器件制备技术及测量方法 | 第23-29页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第23-25页 |
| 2.2 材料表征及其测量方法 | 第25-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 CuO薄膜制备 | 第29-45页 |
| 3.1 CuO薄膜制备流程 | 第29-30页 |
| 3.2 不同氧气流量对CuO薄膜结构及光学性能的影响 | 第30-39页 |
| 3.3 不同溅射压强对CuO薄膜结构及光学性能的影响 | 第39-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 CuO器件的阻变特性研究 | 第45-59页 |
| 4.1 Cu/CuO/FTO器件制备过程 | 第45-46页 |
| 4.2 Cu/CuO/FTO器件的阻变特性 | 第46-52页 |
| 4.3 W/CuO/FTO器件的阻变特性 | 第52-56页 |
| 4.4 低温电阻特性研究 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-60页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64页 |