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基于SiGe BiCMOS工艺的光接收机模拟前端电路的研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 光通信系统第9-10页
    1.2 光接收机简介第10-11页
    1.3 硅基光接收机的国内外研究进展第11-13页
    1.4 研究内容与组织结构第13-15页
第2章 光接收机基本理论第15-23页
    2.1 光接收机的数据传输格式第15-16页
    2.2 光接收机的特征参数第16-21页
        2.2.1 传输速率第16-17页
        2.2.2 误码率第17-18页
        2.2.3 灵敏度第18-19页
        2.2.4 抖动第19-20页
        2.2.5 眼图第20页
        2.2.6 动态范围第20-21页
    2.3 小结第21-23页
第3章 光接收机模拟前端电路分析第23-45页
    3.1 光接收机模拟前端电路概述第23-33页
        3.1.1 跨阻放大器第23-27页
        3.1.2 限幅放大器第27-30页
        3.1.3 输出缓冲级第30-31页
        3.1.4 直流偏移消除电路第31-33页
    3.2 带宽拓展技术第33-43页
        3.2.1 串联电感峰化技术第34页
        3.2.2 并联电感峰化技术第34-35页
        3.2.3 有源电感峰化技术第35-36页
        3.2.4 电容简并技术第36-37页
        3.2.5 自举电路技术第37页
        3.2.6 零极点对消技术第37-38页
        3.2.7 有源负反馈第38-39页
        3.2.8 三阶交错式有源负反馈第39-40页
        3.2.9 Cherry-Hooper结构第40-42页
        3.2.10 负电容补偿电路第42-43页
    3.3 小结第43-45页
第4章 基于CMOS工艺的跨阻放大器设计与分析第45-55页
    4.1 传统RGC跨阻放大器第45-46页
    4.2 传统并联反馈型跨阻放大器第46-48页
    4.3 新型并联反馈型跨阻放大器设计第48-50页
    4.4 新型并联反馈型跨阻放大器的仿真第50-53页
    4.5 小结第53-55页
第5章 基于SiGeBiCMOS工艺的光接收机模拟电路的设计和仿真第55-75页
    5.1 标准SiGeBiCMOS工艺简介第55页
    5.2 基于IBMSiGeBiCMOS的光接收机整体电路设计第55-63页
        5.2.1 跨阻放大器第56-58页
        5.2.2 限幅放大器第58-60页
        5.2.3 直流偏移消除电路第60页
        5.2.4 输出缓冲级第60-61页
        5.2.5 仿真结果第61-63页
    5.3 基于IHPSiGeBiCMOS工艺的光接收机整体电路设计第63-72页
        5.3.1 跨阻放大器第63-67页
        5.3.2 限幅放大器第67页
        5.3.3 直流偏移消除电路第67-68页
        5.3.4 射极跟随器第68页
        5.3.5 带隙电路第68-70页
        5.3.6 输出缓冲级第70-71页
        5.3.7 仿真结果第71-72页
    5.4 小结第72-75页
第6章 光接收机电路的版图设计与测试分析第75-91页
    6.1 版图设计要点第75-77页
        6.1.1 天线效应第75-76页
        6.1.2 闩锁效应第76页
        6.1.3 金属走线的电流承载能力第76页
        6.1.4 寄生参数第76-77页
        6.1.5 其他高速电路的版图设计要点第77页
    6.2 光接收机模拟前端电路版图设计与仿真第77-84页
        6.2.1 基于UMC工艺的新型并联反馈型跨阻放大器版图后仿第77-79页
        6.2.2 基于IBM工艺的光接收机整体电路版图后仿第79-82页
        6.2.3 基于IHP工艺的光接收机整体电路版图后仿第82-84页
    6.3 测试PCB的设计第84-86页
    6.4 基于UMC工艺新型并联反馈型跨阻放大器的测试与分析第86-89页
    6.5 小结第89-91页
第7章 总结与展望第91-93页
参考文献第93-97页
发表论文和参加科研情况说明第97-99页
致谢第99页

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