| 中文摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 GaN材料的物理特性 | 第14-16页 |
| 1.3 常用衬底 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的研究意义 | 第17页 |
| 1.5 本论文的研究内容及创新性工作 | 第17-19页 |
| 第二章 外延生长和表面表征设备 | 第19-29页 |
| 2.1 外延生长理论 | 第19-20页 |
| 2.2 外延生长设备 | 第20-22页 |
| 2.2.1 分子束外延(MBE) | 第20页 |
| 2.2.2 氢化物气相外延(HVPE) | 第20-21页 |
| 2.2.3 金属有机气相外延(MOCVD) | 第21-22页 |
| 2.3 本文所用MOCVD | 第22-27页 |
| 2.3.1 源供给系统 | 第22-24页 |
| 2.3.2 气体输送系统 | 第24页 |
| 2.3.3 反应室系统 | 第24-25页 |
| 2.3.4 原位反射率检测 | 第25-27页 |
| 2.4 材料表征设备 | 第27-29页 |
| 2.4.1 原子力显微镜(AFM) | 第27页 |
| 2.4.2 拉曼光谱仪 | 第27-29页 |
| 第三章 不同条件下GaN成核层外延生长研究 | 第29-37页 |
| 3.1 生长温度对成核层的影响 | 第29-30页 |
| 3.2 Ⅴ/Ⅲ族比对成核层的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 反应室压强对成核层的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 表面氮化对GaN成核层表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.5 高温退火对GaN成核层表面形貌的影响 | 第35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 不同载气对GaN成核层表面形貌的影响 | 第37-46页 |
| 4.1 在氢气气氛下生长时间对成核层表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 不同气氛下对成核层表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 4.3 在氮气气氛下生长温度对表面形貌的影响 | 第39-40页 |
| 4.4 在氮气气氛下生长时间对成核层表面形貌的影响 | 第40-43页 |
| 4.5 氢气和氮气混合气氛对成核层表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 不同气氛下GaN薄膜外延生长研究 | 第46-50页 |
| 5.1 不同气氛下生长GaN薄膜 | 第46-47页 |
| 5.2 不同气氛下生长GaN薄膜的Raman测试 | 第47-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果及参与科研的项目 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 个人简况及联系方式 | 第60-61页 |