摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
1 引言 | 第11页 |
2 柱芳烃的结构及合成 | 第11-17页 |
3 基于柱芳烃的分子识别性质研究 | 第17-26页 |
3.1 基于柱芳烃的中性分子识别性质研究 | 第17-21页 |
3.2 基于柱芳烃的阳离子分子识别性质研究 | 第21-24页 |
3.3 基于柱芳烃的阴离子分子识别性质研究 | 第24-26页 |
4 课题的设计与提出 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-33页 |
第二章 基于功能化柱[5]芳烃铜(Ⅱ)配合物的新型氰根离子荧光传感器 | 第33-48页 |
1 引言 | 第33页 |
2 实验部分 | 第33-36页 |
2.1 试剂,溶剂 | 第33-34页 |
2.2 分析仪器 | 第34页 |
2.3 1a的合成 | 第34-35页 |
2.4 PN的合成 | 第35-36页 |
3 实验结果与讨论 | 第36-46页 |
3.1 实验方法 | 第36-38页 |
3.1.1 溶液浓度选择 | 第36-37页 |
3.1.3 对阴离子的选择性实验 | 第37页 |
3.1.4 离子选择竞争性实验 | 第37页 |
3.1.5 光谱滴定 | 第37页 |
3.1.6 主体与离子配位比的确定 | 第37-38页 |
3.1.7 最低检测限的确定 | 第38页 |
3.1.8 金属离子与配体配位方式的确定 | 第38页 |
3.2 功能化柱[5]芳烃对金属离子的光谱性质研究 | 第38-41页 |
3.2.1 PN对不同金属离子的紫外选择性实验 | 第38页 |
3.2.2 PN对不同金属离子的荧光选择性实验 | 第38-39页 |
3.2.3 荧光光谱滴定实验 | 第39-40页 |
3.2.4 最低检测限及Job's曲线 | 第40-41页 |
3.3 功能化柱[5]芳烃与铜配合物(PN-Cu)的光谱性质研究 | 第41-46页 |
3.3.1 PN-Cu对不同阴离子的荧光选择性实验 | 第41页 |
3.3.2 荧光滴定 | 第41-42页 |
3.3.3 荧光量子产率及最低检测限 | 第42-43页 |
3.3.4 荧光抗干扰 | 第43页 |
3.3.5 荧光开关 | 第43-44页 |
3.3.6 红外光谱分析 | 第44页 |
3.3.7 对比实验 | 第44-46页 |
4 小结 | 第46-48页 |
第三章 用于检测氟离子的基于单功能化柱[5]芳烃与铁(Ⅲ)金属配合物的荧光传感器 | 第48-57页 |
1 引言 | 第48-49页 |
2 实验部分 | 第49页 |
2.1 1a的合成 | 第49页 |
2.2 PN的合成 | 第49页 |
3 实验结果与讨论 | 第49-56页 |
3.1 实验方法 | 第49页 |
3.2 功能化柱[5]芳烃对金属离子的光谱性质研究 | 第49-51页 |
3.2.1 PN对不同金属离子的紫外选择性实验 | 第49页 |
3.2.2 PN对不同金属离子的荧光选择性实验 | 第49页 |
3.2.3 荧光光谱滴定实验 | 第49-50页 |
3.2.4 Job's曲线及最低检测限 | 第50-51页 |
3.3 功能化柱[5]芳烃与铁配合物(PN-Fe)的光谱性质研究 | 第51-56页 |
3.3.1 PN-Fe对不同阴离子的荧光选择性实验 | 第51-52页 |
3.3.2 荧光滴定 | 第52页 |
3.3.3 荧光量子产率及最低检测限 | 第52-53页 |
3.3.4 荧光抗干扰 | 第53-54页 |
3.3.5 荧光开关 | 第54页 |
3.3.6 红外光谱分析 | 第54-55页 |
3.3.7 对比实验及机理 | 第55-56页 |
4 小结 | 第56-57页 |
第四章 基于柱[5]芳烃与 1.8-辛二胺的主客体络合 | 第57-70页 |
1 引言 | 第57页 |
2 实验部分 | 第57-60页 |
2.1 试剂,溶剂与分析仪器 | 第57页 |
2.2 分析仪器 | 第57-58页 |
2.3 主体H1的合成 | 第58-59页 |
2.4 主体H3的合成 | 第59-60页 |
3 实验结果与讨论 | 第60-69页 |
3.1 主体H1与 1.8-辛二胺的自组装性质研究 | 第60-64页 |
3.1.1 浓度核磁滴定 | 第60-61页 |
3.1.2 主客体络合实验 | 第61-64页 |
3.2 主体H3与 1.8-辛二胺的自组装性质研究 | 第64-69页 |
3.2.1 主体浓度核磁滴定 | 第64-66页 |
3.2.2 主客体络合实验 | 第66-69页 |
4 小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-77页 |
附录 | 第77-85页 |
科研成果 | 第85-86页 |
致谢 | 第86页 |