| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 热电材料概述 | 第8-10页 |
| 1.2 热电效应及其工作原理 | 第10-12页 |
| 1.2.1 塞贝克(Seebeck)效应 | 第10-11页 |
| 1.2.2 帕尔帖(Peltier)效应 | 第11-12页 |
| 1.3 热电性能评估参数 | 第12-14页 |
| 1.4 热电薄膜的制备方法及研究现状 | 第14-19页 |
| 1.4.1 真空蒸镀法(Vacuum Evaporating) | 第14-16页 |
| 1.4.2 磁控溅射(Megnetron Sputtering) | 第16-17页 |
| 1.4.3 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) | 第17页 |
| 1.4.4 分子束外延技术(Molecular Beam Epitaxy) | 第17-18页 |
| 1.4.5 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第18页 |
| 1.4.6 电化学沉积(Electrochemical Deposition) | 第18-19页 |
| 1.5 热电器件概述 | 第19-21页 |
| 1.5.1 热电器件工作原理 | 第19-20页 |
| 1.5.2 薄膜热电器件 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的选题和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 热电薄膜的性能优化与平面型薄膜热电器件的制备 | 第23-39页 |
| 2.1 热蒸镀方法制备热电薄膜 | 第23-25页 |
| 2.1.1 引言 | 第23页 |
| 2.1.2 实验操作 | 第23-24页 |
| 2.1.3 性能表征 | 第24-25页 |
| 2.2 不同生长温度对P型Sb2Te3热电薄膜的性能影响 | 第25-28页 |
| 2.2.1 P型Sb2Te3薄膜的晶体结构分析 | 第25-26页 |
| 2.2.2 P型Sb2Te3薄膜的外貌形态分析 | 第26-27页 |
| 2.2.3 P型Sb2Te3薄膜的热电性能分析 | 第27-28页 |
| 2.3 不同生长温度对N型Bi2Te3热电薄膜的性能影响 | 第28-31页 |
| 2.3.1 N型Bi2Te3薄膜的晶体结构分析 | 第29页 |
| 2.3.2 N型Bi2Te3薄膜的外貌形态分析 | 第29-30页 |
| 2.3.3 N型Bi2Te3薄膜的热电性能分析 | 第30-31页 |
| 2.4 平面型薄膜热电器件的制备与性能评估 | 第31-37页 |
| 2.4.1 制备工艺 | 第32-34页 |
| 2.4.2 平面型热电器件的性能测量 | 第34-35页 |
| 2.4.3 平面型薄膜热电器件的性能测量结果 | 第35-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 热蒸镀制备微尺度热电薄膜及其Seebeck系数的测量 | 第39-51页 |
| 3.1 微尺度样品的制作 | 第39-42页 |
| 3.1.1 引言 | 第39页 |
| 3.1.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 3.1.3 薄膜的晶体结构和外貌形态分析 | 第41-42页 |
| 3.1.4 Seebeck系数测量方法 | 第42页 |
| 3.2 交流法测量微尺度样品的Seebeck系数 | 第42-48页 |
| 3.2.1 Ansys理论模拟 | 第42-43页 |
| 3.2.2 交流法测量Seebeck系数的原理 | 第43-45页 |
| 3.2.3 交流法测量Seebeck系数 | 第45页 |
| 3.2.4 Seebeck系数测量结果 | 第45-48页 |
| 3.3 直流法测量微尺度样品的Seebeck系数 | 第48-49页 |
| 3.3.1 直流法测量Seebeck系数 | 第48页 |
| 3.3.2 Seebeck系数测量结果 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间撰写的论文和专利 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
