摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-21页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 氮化硼的结构 | 第13-14页 |
1.3 cBN单晶的结构、性能及应用 | 第14-15页 |
1.4 cBN单晶的合成方法 | 第15-16页 |
1.4.1 静态高压触媒法 | 第15-16页 |
1.4.2 静态高压直接转变法 | 第16页 |
1.4.3 静态温度梯度法 | 第16页 |
1.4.4 冲击压缩法 | 第16页 |
1.4.5 气相沉积法 | 第16页 |
1.4.6 水热合成法 | 第16页 |
1.5 cBN单晶的合成机理研究现状 | 第16-17页 |
1.6 cBN单晶触媒层的研究现状 | 第17-19页 |
1.6.1 cBN单晶合成触媒的研究现状 | 第17-18页 |
1.6.2 cBN单晶触媒层的形貌表征研究现状 | 第18-19页 |
1.6.3 cBN单晶触媒层的物相含量研究现状 | 第19页 |
1.7 本文的主要研究内容及研究目的 | 第19-21页 |
第2章 实验和理论计算方法 | 第21-30页 |
2.1 静态高温高压法合成cBN单晶的实验 | 第21-24页 |
2.1.1 合成cBN单晶的主要原料 | 第21页 |
2.1.2 合成实验所用的设备 | 第21-22页 |
2.1.3 合成腔体的组装 | 第22页 |
2.1.4 cBN单晶的合成和处理过程 | 第22-24页 |
2.2 触媒层粉末样品的制备过程 | 第24页 |
2.3 cBN单晶触媒层的物相结构的表征 | 第24-25页 |
2.3.1 cBN单晶触媒层物相组成的XRD表征 | 第24-25页 |
2.3.2 cBN单晶触媒层物相组成的HRTEM表征 | 第25页 |
2.3.3 cBN单晶触媒层物相组成的FTIR表征 | 第25页 |
2.4 合成后的cBN单晶触媒层的形貌表征 | 第25页 |
2.5 合成后的cBN单晶的形貌表征 | 第25-26页 |
2.5.1 cBN单晶形貌的SEM表征 | 第25-26页 |
2.5.2 cBN单晶晶面形貌的AFM表征 | 第26页 |
2.6 触媒层内物相含量的计算方法 | 第26-28页 |
2.6.1 物相定性的过程 | 第26页 |
2.6.2 物相峰值参数的获取 | 第26页 |
2.6.3 K值法的计算过程 | 第26-27页 |
2.6.4 影响计算结果准确性的因素 | 第27-28页 |
2.7 cBN单晶的合成条件的拟合处理 | 第28-30页 |
2.7.1 origin拟合的过程 | 第28-29页 |
2.7.2 origin拟合数据的准确性 | 第29-30页 |
第3章 cBN单晶合成效果与触媒层物相结构的相关性 | 第30-42页 |
3.1 引言 | 第30页 |
3.2 cBN单晶合成效果与触媒层内物相的组成 | 第30-35页 |
3.3 cBN单晶合成效果与触媒层内物相的含量 | 第35-37页 |
3.4 cBN单晶触媒层内物相含量的分层表征 | 第37-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-42页 |
第4章 cBN单晶合成效果与触媒层形貌的相关性 | 第42-53页 |
4.1 引言 | 第42页 |
4.2 cBN单晶合成效果与触媒层的形貌 | 第42-46页 |
4.2.1 合成块的表面形貌 | 第42-43页 |
4.2.2 不同合成效果的cBN单晶触媒层形貌 | 第43-46页 |
4.3 高温高压下触媒组织的初步控制 | 第46-52页 |
4.3.1 合成温度对cBN单晶的合成效果的影响 | 第47-48页 |
4.3.2 合成压力对cBN单晶的合成效果的影响 | 第48-49页 |
4.3.3 合成时间对cBN单晶的合成效果的影响 | 第49-50页 |
4.3.4 cBN籽晶的加入量对cBN单晶的合成效果的影响 | 第50-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 高温高压下cBN单晶的生长机理 | 第53-61页 |
5.1 引言 | 第53页 |
5.2 cBN单晶的XRD表征 | 第53-54页 |
5.3 cBN单晶的晶面形貌 | 第54-58页 |
5.4 cBN单晶的位错生长机理 | 第58-60页 |
5.5 本章小结 | 第60-61页 |
第6章 结论与展望 | 第61-63页 |
6.1 主要结论 | 第61-62页 |
6.2 展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-72页 |
后记 | 第72-73页 |
攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第73页 |