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cBN单晶合成效果与合成后触媒组织结构的相关性研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第1章 绪论第12-21页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 氮化硼的结构第13-14页
    1.3 cBN单晶的结构、性能及应用第14-15页
    1.4 cBN单晶的合成方法第15-16页
        1.4.1 静态高压触媒法第15-16页
        1.4.2 静态高压直接转变法第16页
        1.4.3 静态温度梯度法第16页
        1.4.4 冲击压缩法第16页
        1.4.5 气相沉积法第16页
        1.4.6 水热合成法第16页
    1.5 cBN单晶的合成机理研究现状第16-17页
    1.6 cBN单晶触媒层的研究现状第17-19页
        1.6.1 cBN单晶合成触媒的研究现状第17-18页
        1.6.2 cBN单晶触媒层的形貌表征研究现状第18-19页
        1.6.3 cBN单晶触媒层的物相含量研究现状第19页
    1.7 本文的主要研究内容及研究目的第19-21页
第2章 实验和理论计算方法第21-30页
    2.1 静态高温高压法合成cBN单晶的实验第21-24页
        2.1.1 合成cBN单晶的主要原料第21页
        2.1.2 合成实验所用的设备第21-22页
        2.1.3 合成腔体的组装第22页
        2.1.4 cBN单晶的合成和处理过程第22-24页
    2.2 触媒层粉末样品的制备过程第24页
    2.3 cBN单晶触媒层的物相结构的表征第24-25页
        2.3.1 cBN单晶触媒层物相组成的XRD表征第24-25页
        2.3.2 cBN单晶触媒层物相组成的HRTEM表征第25页
        2.3.3 cBN单晶触媒层物相组成的FTIR表征第25页
    2.4 合成后的cBN单晶触媒层的形貌表征第25页
    2.5 合成后的cBN单晶的形貌表征第25-26页
        2.5.1 cBN单晶形貌的SEM表征第25-26页
        2.5.2 cBN单晶晶面形貌的AFM表征第26页
    2.6 触媒层内物相含量的计算方法第26-28页
        2.6.1 物相定性的过程第26页
        2.6.2 物相峰值参数的获取第26页
        2.6.3 K值法的计算过程第26-27页
        2.6.4 影响计算结果准确性的因素第27-28页
    2.7 cBN单晶的合成条件的拟合处理第28-30页
        2.7.1 origin拟合的过程第28-29页
        2.7.2 origin拟合数据的准确性第29-30页
第3章 cBN单晶合成效果与触媒层物相结构的相关性第30-42页
    3.1 引言第30页
    3.2 cBN单晶合成效果与触媒层内物相的组成第30-35页
    3.3 cBN单晶合成效果与触媒层内物相的含量第35-37页
    3.4 cBN单晶触媒层内物相含量的分层表征第37-40页
    3.5 本章小结第40-42页
第4章 cBN单晶合成效果与触媒层形貌的相关性第42-53页
    4.1 引言第42页
    4.2 cBN单晶合成效果与触媒层的形貌第42-46页
        4.2.1 合成块的表面形貌第42-43页
        4.2.2 不同合成效果的cBN单晶触媒层形貌第43-46页
    4.3 高温高压下触媒组织的初步控制第46-52页
        4.3.1 合成温度对cBN单晶的合成效果的影响第47-48页
        4.3.2 合成压力对cBN单晶的合成效果的影响第48-49页
        4.3.3 合成时间对cBN单晶的合成效果的影响第49-50页
        4.3.4 cBN籽晶的加入量对cBN单晶的合成效果的影响第50-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第5章 高温高压下cBN单晶的生长机理第53-61页
    5.1 引言第53页
    5.2 cBN单晶的XRD表征第53-54页
    5.3 cBN单晶的晶面形貌第54-58页
    5.4 cBN单晶的位错生长机理第58-60页
    5.5 本章小结第60-61页
第6章 结论与展望第61-63页
    6.1 主要结论第61-62页
    6.2 展望第62-63页
参考文献第63-72页
后记第72-73页
攻读硕士学位期间论文发表及科研情况第73页

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