摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
重要缩略词 | 第17-18页 |
第一章 绪论 | 第18-44页 |
1.1 二维材料的兴起 | 第18-37页 |
1.1.1 石墨烯 | 第18-22页 |
1.1.2 单元素碳族二维材料 | 第22-29页 |
1.1.3 双元素二维材料 | 第29-37页 |
1.2 表面有机分子 | 第37-42页 |
1.2.1 分子机器 | 第37-40页 |
1.2.2 有机半导体 | 第40-42页 |
1.3 本章小结 | 第42-44页 |
第二章 实验仪器介绍 | 第44-52页 |
2.1 扫描隧道显微镜 | 第44-46页 |
2.2 低温扫描隧道显微镜-分子束外延-X射线光电子能谱联合系统 | 第46-47页 |
2.3 角分辨光电子能谱 | 第47-50页 |
2.4 本章小结 | 第50-52页 |
第三章 单层Cu2Se的生长及其热驱动的相变研究 | 第52-78页 |
3.1 研究背景介绍 | 第52-59页 |
3.1.1 二维体系中的相变研究 | 第52-54页 |
3.1.2 二维原子晶体中的相变研究 | 第54-59页 |
3.2 单层Cu_2Se的生长和结构表征 | 第59-64页 |
3.3 单层Cu_2Se的热驱动相变研究 | 第64-70页 |
3.3.1 原位扫描隧道显微镜表征 | 第64-66页 |
3.3.2 原位低能电子束衍射(LEED)的表征 | 第66-67页 |
3.3.3 一维摩尔条纹的形成机制 | 第67-69页 |
3.3.4 连续变温的低能电子衍射表征 | 第69-70页 |
3.4 单层Cu_2Se的能带结构 | 第70-73页 |
3.5 热驱动的单层Cu_2Se相变的物理机制解释 | 第73-75页 |
3.6 单层Cu_2Se的大气稳定性 | 第75页 |
3.7 多层Cu_2Se薄膜的生长 | 第75-77页 |
3.8 本章小结 | 第77-78页 |
第四章 单层Cu_2Te的生长研究 | 第78-88页 |
4.1 研究背景 | 第78-79页 |
4.2 单层Cu_2Te的生长 | 第79-83页 |
4.3 Cu_2Te的能带结构 | 第83-84页 |
4.4 单层Cu_2Te的大气稳定性 | 第84-85页 |
4.5 本章小结 | 第85-88页 |
第五章 由金属表面控制的C-F键活化研究 | 第88-112页 |
5.1 研究背景介绍 | 第88-99页 |
5.1.1 利用金属表面活化C-X键 | 第88-93页 |
5.1.2 C-F键的活化 | 第93-95页 |
5.1.3 C-F键的表面活化 | 第95-99页 |
5.2 利用金属表面不同的催化活性控制邻/间位C-F键活化 | 第99-109页 |
5.2.1 Fe TPPF20在Au(111)与Cu(111)表面的组装行为 | 第99-102页 |
5.2.2 邻/间位C-F键在Au(111)与Cu(111)表面的活化 | 第102-109页 |
5.3 本章小结 | 第109-112页 |
第六章 卟啉和DABCO分子三明治纳米结构的制备 | 第112-124页 |
6.1 背景介绍 | 第112-114页 |
6.2 卟啉和DABCO分子层状分子纳米结构模型 | 第114-116页 |
6.3 STM对 Fe TPP-DABCO-Fe TP的表征 | 第116-119页 |
6.4 XPS和TMP-MS对卟啉和DABCO分子三明治纳米结构的表征 | 第119-123页 |
6.5 本章小结 | 第123-124页 |
第七章 总结和展望 | 第124-126页 |
参考文献 | 第126-138页 |
博士阶段完成及待发表的论文 | 第138-140页 |
简历 | 第140-142页 |
致谢 | 第142-143页 |