摘要 | 第6-8页 |
abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第14-30页 |
1.1 引言 | 第14-15页 |
1.2 ZnO压敏电阻研究背景 | 第15页 |
1.3 ZnO压敏电阻的工作原理 | 第15-21页 |
1.3.1 ZnO压敏电阻的I-V曲线 | 第15-18页 |
1.3.2 ZnO压敏电阻的双肖特基势垒 | 第18-21页 |
1.4 ZnO压敏电阻的掺杂机理 | 第21页 |
1.5 ZnO压敏电阻的电学性能参数 | 第21-22页 |
1.6 ZnO压敏电阻性能的影响因素 | 第22-26页 |
1.6.1 浆料以及微观结构的均匀性对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第22-24页 |
1.6.2 添加剂氧化物对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第24页 |
1.6.3 烧结制度对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第24-25页 |
1.6.4 电位梯度和大通流能力对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第25-26页 |
1.7 ZnO压敏电阻研究进展 | 第26-28页 |
1.8 本论文研究意义及研究内容 | 第28-30页 |
第二章 分散剂含量及pH值对浆料分散体系与ZnO压敏电阻性能的影响 | 第30-49页 |
2.1 实验部分 | 第30-36页 |
2.1.1 实验原料与设备 | 第30-31页 |
2.1.2 实验方法和步骤 | 第31-34页 |
2.1.3 测试与表征 | 第34-36页 |
2.2 分散剂含量对浆料分散体系与ZnO压敏电阻性能的影响 | 第36-42页 |
2.2.1 分散剂含量对浆料分散体系的影响 | 第36-38页 |
2.2.2 分散剂含量对压敏电阻微观结构的影响 | 第38-40页 |
2.2.3 分散剂含量对压敏电阻电学性能的影响 | 第40-41页 |
2.2.4 分散剂含量对压敏电阻老化性能的影响 | 第41-42页 |
2.3 pH值对浆料分散体系与ZnO压敏电阻性能的影响 | 第42-48页 |
2.3.1 pH值对浆料分散体系的影响 | 第42-45页 |
2.3.2 pH值对压敏电阻微观结构的影响 | 第45-46页 |
2.3.3 pH值对压敏电阻电学性能的影响 | 第46-47页 |
2.3.4 pH值对压敏电阻老化性能的影响 | 第47-48页 |
2.4 本章小结 | 第48-49页 |
第三章 Cr_2O_3含量与Sb_2O_3含量对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第49-68页 |
3.1 实验部分 | 第49-54页 |
3.1.1 实验原料与设备 | 第49-50页 |
3.1.2 实验方法和步骤 | 第50-53页 |
3.1.3 测试与表征 | 第53-54页 |
3.2 Cr_2O_3含量对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第54-60页 |
3.2.1 Cr_2O_3含量对压敏电阻微观结构的影响 | 第54-56页 |
3.2.2 Cr_2O_3含量对压敏电阻电学性能的影响 | 第56-60页 |
3.3 Sb_2O_3含量对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第60-66页 |
3.3.1 Sb_2O_3含量对压敏电阻微观结构的影响 | 第60-62页 |
3.3.2 Sb_2O_3含量对压敏电阻电学性能的影响 | 第62-66页 |
3.4 本章小结 | 第66-68页 |
第四章 Cr_2O_3/SiO_2比与烧结温度对高梯度ZnO压敏电阻性能的影响 | 第68-93页 |
4.1 实验部分 | 第69-74页 |
4.1.1 实验原料与设备 | 第69-70页 |
4.1.2 实验方法和步骤 | 第70-73页 |
4.1.3 测试与表征 | 第73-74页 |
4.2 Cr_2O_3/SiO_2比对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第74-82页 |
4.2.1 Cr_2O_3/SiO_2比对压敏电阻微观结构的影响 | 第74-77页 |
4.2.2 Cr_2O_3/SiO_2比对压敏电阻电学性能的影响 | 第77-80页 |
4.2.3 Cr_2O_3/SiO_2比对压敏电阻老化性能的影响 | 第80-82页 |
4.3 烧结温度对ZnO压敏电阻性能的影响 | 第82-91页 |
4.3.1 烧结温度对压敏电阻微观结构的影响 | 第82-85页 |
4.3.2 烧结温度对压敏电阻电学性能的影响 | 第85-88页 |
4.3.3 烧结温度对压敏电阻2ms通流能力的影响 | 第88-89页 |
4.3.4 烧结温度对压敏电阻老化性能的影响 | 第89-91页 |
4.4 本章小结 | 第91-93页 |
第五章 结论 | 第93-96页 |
5.1 主要结论 | 第93-94页 |
5.2 研究展望 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-104页 |
作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文和专利及参与的项目 | 第104-105页 |
致谢 | 第105页 |