| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.1.1 纳米材料的概念 | 第10页 |
| 1.1.2 纳米材料的性质 | 第10-11页 |
| 1.2 氮化硼的结构与性质 | 第11-13页 |
| 1.3 制备六方氮化硼的方法 | 第13-14页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第13页 |
| 1.3.2 物理气相沉积法(PVD) | 第13-14页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法(CVD) | 第14页 |
| 1.4 六方氮化硼作为抗氧化保护层 | 第14-15页 |
| 1.5 介电层 | 第15页 |
| 1.6 介电层的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.7 本论文研究的主要内容及意义 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-26页 |
| 第二章 置于水介质和空气氧化环境中的六方氮化硼的抗氧化性研究 | 第26-44页 |
| 2.1 引言 | 第26-28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-31页 |
| 2.2.1 实验仪器及材料试剂 | 第28-29页 |
| 2.2.2 样品的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.3 样品的表征 | 第30-31页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第31-38页 |
| 2.3.1 单层和5-7层的六方氮化硼在过氧化氢溶液中的抗氧化性分析 | 第31-32页 |
| 2.3.2 10-15层六方氮化硼在空气中的抗氧化性分析 | 第32-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 第三章 化学气相沉积法制备的六方氮化硼的介电击穿研究 | 第44-73页 |
| 3.1 引言 | 第44-46页 |
| 3.2 实验仪器与材料 | 第46-47页 |
| 3.3 实验方法 | 第47-51页 |
| 3.3.1 六方氮化硼的合成 | 第47页 |
| 3.3.2 六方氮化硼的表征 | 第47-50页 |
| 3.3.3 离子液体的闸极偏压 | 第50页 |
| 3.3.4 六方氮化硼器件的制备和表征 | 第50-51页 |
| 3.3.5 二氧化铪和三氧化二铝实验 | 第51页 |
| 3.3.6 二氧化硅实验 | 第51页 |
| 3.4 实验结果与讨论 | 第51-66页 |
| 3.4.1 基于六方氮化硼器件的击穿研究 | 第51-56页 |
| 3.4.2 纳米水平下多层六方氮化硼的击穿研究 | 第56-59页 |
| 3.4.3 传统介电层(二氧化铪、三氧化二铝、二氧化硅)的击穿研究 | 第59-60页 |
| 3.4.4 纳米水平下多层六方氮化硼的击穿处电荷分离影响研究 | 第60-62页 |
| 3.4.5 纳米水平下单层六方氮化硼的击穿研究 | 第62-64页 |
| 3.4.6 传统介电层和六方氮化硼的击穿研究总结 | 第64-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第73-75页 |
| 4.1 全文总结 | 第73-74页 |
| 4.2 研究展望 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
